国内方面，近期武汉新芯集成电路制造有限公司近日发生工商变更，新增中国互联网投资基金(有限合伙)等30位股东，注册资本由约57.82亿元增至约84.79亿元。该公司还发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。

国外方面，美光科技宣布开始批量生产HBM3E高带宽内存，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。

据韩国媒体报道，由于AI需求强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。

价格方面，近期NAND现货价呈现上涨趋势，且适逢月底月初交际，需求动能虽有陆续恢复。同时，业内预期NAND涨势将持续。据中航证券，2023年Q3起减产成效虽逐步显现，但各原厂NANDFlash业务仍陷亏损，一季度涨价态度依然坚定，预计24Q1NANDFlash合约价季涨幅约15-20%。

DRAM方面，在HBM、DDR5以及LPDDR5等高价值产品出货占比提高的作用下，四季度各原厂的DRAM收入也发生了较大的增长。其中，从全年来看，SK海力士在2023年的表现最为突出，并逐渐缩小与三星的差距。

本文首发自萝卜投研