EUV光刻机，是当前所有芯片设备中，难度最高，门槛最高，单价最贵，最为关键的设备。

因为只有拥有EUV光刻机，才能制造7nm以下的芯片，只要没有EUV光刻机，最多也就是7nm工艺，且全球只有ASML能够制造，其它任何企业都不行。

所以美国控制住ASML EUV光刻机的销售，就相当于控制住了全球所有的先进芯片制造产业。

所以，全球的半导体大国，一旦想摆脱对ASML的依赖，摆脱美国控制，就会想要自己研发EUV光刻机，这样才能在不从ASML进口的前进之下，制造出7nm以下的芯片。

但制造EUV光刻机，真的太难了，按照机构的说法，EUV光刻机全球有5000多供应链，上百万个零件，还有一些核心技术，只掌握在几家企业手中。

而这些企业，和ASML都是绑定的，不对外提供技术，所以要想自己制造出EUV光刻机，需要一个一个的攻克。

而近日，国产EUV也算是传出好消息了，那就是哈尔滨工业大学的研究团队，研发出来的“放电等离子体极紫外光刻光源”个项目，获得了获得“2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛”的一等奖。

这个项目，可以对外提供波长为13.5nm的极紫外光，而这种光源，更是EUV光刻机所需要的光源。

要知道ASML为了获得这个光源，有多麻烦，采用的是“激光等离子体EUV光源（EUV-LPP）”方案，用二氧化碳激光器，轰击锡金属液滴，将这些锡珠蒸发成等离子体，放射出极紫外线（EUV）了，再通过透镜，对EUV进行收集。

这个转换效率只有3-5%左右，难度非常大，还需要几家企业合作，包括美国西盟与德国通快公司，还需要蔡司公司的一起合作。

而哈工大的这个“放电等离子体极紫外光刻光源”方案，能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低，似乎更有优势。

不过，大家要注意的是，EUV是相当复杂的，就算解决了EUV光源，后面还有一堆技术需要攻克，比如EUV光线的收集，透镜系统，工作台，光掩膜板等等。

就算真的解决了光源，只是搞定了万里长征的第一步，后面还有无数步，更何况这个项目目前更多还只是参赛项目，并不意味着真正的成功量产了，所以在激动之余，我们还是保持下冷静吧，真EUV光刻机量产，可能还差的远。