大家有没有发现，最近我国的科技方面不断震惊全球，像AI领域的DEEPSEEK、机器人领域的宇树科技等。这充分说明，我们不断加强自研，具备了科技爆发的基础。

其实，在芯片领域我们也有很多突破，得益于美方不断加码制裁，不仅华为实现麒麟芯片回归，国产EUV光刻机方面也取得重要进展，所以外媒表示EUV光刻机突变了。

近几年，美方不断扩大芯片限制，把光刻机当成了制裁的工具，不断扩大限制。因为光刻机是芯片制造过程中的核心设备，还是我们大陆半导体产业链中最薄弱的环节。

然而，美方并不能生产光刻机，全球90%以上的光刻机来自荷兰ASML，并且也只有ASML一家能够生产EUV。于是，美方就想方设法向荷兰施压，限制ASML出货。

之前，美方主要是限制高端EUV光刻机，后来又扩大到了限制浸润式DUV光刻机。

然而，美方越是扩大芯片限制，我们大陆的芯片产业发展就越快，不仅成熟制程芯片产能大幅提升，连先进制程芯片都有所突破，重点就是华为自产麒麟达到7nm性能。

并且经过美方调查，根本没有用到任何美系技术，这让他们不得不怀疑我们已经突破了浸润式DUV。这方面恐怕ASML心里也明白，所以才想方设法出货浸润式DUV。

不过，高端EUV方面限制的还是非常严格，连ASML也不敢私下对我们出货EUV。

而EUV是生产5nm及以下先进制程芯片必不可少的，我们想要实现尖端芯片，就需要EUV光刻机。尽管用浸润式DUV也能实现5nm，但根本不合适，再往下更不行。

然而，EUV技术号称人类科技的巅峰，技术门槛非常高，包含超10万个精密配件。

尽管EUV突破难度非常大，但问题摆在我们面前，哪有不突破的道理。只要我们下定决心突破，那就只是时间问题，因为我们连北斗、空间站等都行，EUV当然也行。

值得一提的是，我们早就制定了相关计划，早就开始了相关技术的研发。经过了7年多的技术攻坚，近期陆续公布了EUV三大技术路线，这恐怕连ASML都始料未及呀。

首先是上海微电子公布的LPP 光源专利。通过优化锡靶轰击技术，能将光源收集效率提升15%， 还能减少30%镜面污染，这是ASML耗时15年攻克的无人控制难题。

该技术不仅能减少成本，还能提高设备维护效率，将为未来国产EUV发展提供支撑。

其次是哈工大公布的DPP技术路线，采用创新的放电等离子体技术，颠覆了传统EUV技术路径，通过高压电场激发锡云产生等离子体，能量转换效率是ASML2.25倍。

哈工大方案的能量转换效率达4.5%，光源系统体积缩小40%，维护成本降低50%。

再者就是上海光源推出的FEL路线，基于同步辐射加速器，研发出直径28米的小型化自由电子激光装置，可输出波长13.5nm极紫外光源，提供了新型光源解决方案。

关键是，我们不只是在EUV光源技术上实现了突破，其他部件也不例外，像哈工大还有长脉冲激光器，华为公布了反射式物镜专利，中科院推出双工件台系统，等等。

这说明，我们国产EUV光刻机研发已经完成了多个基础性的准备，只差临门一脚了。

对此，有外媒直接评价道，光刻机情况突变了，没想到中国EUV进步这么快，难怪连ASML都坐不住了，开始顶着美方的压力，不对外公布对华销售光刻机的数据了。

一旦我们国产EUV实现突破，恐怕美西方的芯片霸权将会彻底终结，ASML的垄断也将成为历史。因此，他们如今最好的出路就是扩大跟我们的合作，以免失去机会。

因为我们已经创造了很多奇迹，像一穷二白时就能突破“两弹一星”，在国外全面封锁的情况下又突破盾构机、北斗、空间站等，相信在国产EUV上也能再次创造奇迹！