自从半导体诞生以来，美方就利用先发优势，拥有了较多的核心技术和芯片专利，凭借先进的芯片在全球各地赚得盆满钵满，因此尝到了作为全球芯片霸主带来的红利。

于是，当我们也开始发展芯片产业、不断摆脱对它的依赖时，美方就不乐意了，想方设法对我们进行阻挠和打压，想要限制我们芯片技术突破，但如今却根本堵不住了！

芯片的种类非常多，但用途最多的主要还是逻辑芯片和存储芯片，这两类芯片能够占到全球所有芯片的80%以上。逻辑芯片主要用于执行逻辑运算和控制任务，像CPU。

存储芯片主要用于数据存储，其中用的最多的主要是DRAM内存和NAND闪存两类。

因此，从这个角度来讲，芯片技术主要包括三大类，分别是逻辑芯片技术、DRAM内存芯片技术、NAND闪存芯片技术。突破了这三大技术，芯片问题就基本解决了。

美方对此也非常明白，所以近几年实施芯片限制，主要就集中在这三大类芯片方面，即使限制先进半导体设备、材料、软件等相关物项，也主要以三大芯片技术为标准。

就比如逻辑芯片技术方面，美方的目标是将我们限制在14nm，以下的技术都要限制。

还有存储芯片，在存储芯片巨头美光的游说下，美方也开始针对我们国产存储芯片，同样制定了限制标准，DRAM内存限制18nm及以下，NAND闪存限制在128层。

为此，美方在断供先进芯片的基础上，还限制台积电、三星等给中企代工高端芯片，尤其是被加入实体清单的企业，就比如华为，被美方制裁后麒麟芯片就无处代工了。

这还不算，美方还限制尖端半导体制造芯片对华出口，重点是芯片制造过程中必不可少的核心设备光刻机，之前仅限制高端EUV光刻机，后来又扩大限制浸润式DUV。

于是，美方拉拢日本、荷兰共同实施出口管制，限制ASML、尼康出货先进光刻机。

然而，美方的目的没有达到，反而激起了我们芯片突围的决心。像我们大陆技术最先进的晶圆企业中芯国际，虽然设备进口受限制，但其实先进制造技术早就实现突破。

还有被多轮制裁的华为，如今也解决了芯片生产问题，麒麟芯片不仅回归，还加速更新迭代，产能问题也得到解决，并且还公开对外表示，每一颗芯片都具备国产能力。

重点是，国产逻辑芯片技术早已突破14nm，达到了7nm水准，甚至是更先进水平。

存储芯片方面更不例外，同样也实现了国产突破，并且还赶上国际领先水平，某些方面还实现了超越。就比如NAND闪存芯片，长江存储可是全球第一家量产232层。

这不仅远远超过了美方的限制标准，还领先三星、SK海力士、美光三巨头实现量产。

值得一提的是，这还不算完，近日有外媒发布了最新拆解报告，长江存储如今的NAND闪存芯片的层数已经高达294层，这数字可是刷新了全球NAND闪存芯片的纪录。

另外，在DRAM内存芯片方面，也取得了突破性进展。前段时间，市场上就出现了国产DDR5存储颗粒的芯片，不出意外应该是长金存储，并且还应用了16 nm技术。

要知道，之前国产的DRAM只有DDR4，DDR5都是三星、SK海力士等国外企业的。

如今，国产内存也能做到DDR5，这是相当大的进步。据了解，长鑫存储还在积极推进15nm制程的DRAM内存研发，预计于今年量产，届时国产内存技术实力更强了。

由此可以看出，在逻辑芯片、DRAM内存、NAND闪存这三大芯片技术方面，我们国产都实现了技术突破，随着国产半导体制造设备技术的进步，将会彻底实现突围。

对此，有外媒直接表示，美方芯片限制根本堵不住了！不过，我们也要正视差距，毕竟我们跟国际顶尖水平还有差距，要继续加强研发，争取尽快摆脱芯片“卡脖子”！