芯片先进封装的发展趋势

芯片界小小学生 2024-02-27 20:16:32
行业背景 先进封装主要是指:倒装(flip-chip)、凸块(bumping)、晶圆级封装(wafer level package,WLP)、2.5D封装(interposer、RDL等)、3D封装(TSV)。 先进封装的四要素是指:RDL、TSV、Bump、Wafer,任何一款封装,如果具备了四要素中的任意一个,都可以称之为先进封装。在先进封装的四要素中,RDL起着XY平面电气延伸的作用,TSV起着Z轴电气延伸的作用,Bump起着界面互联和应力缓冲的作用,Wafer则作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体。四要素中,一大三小,一大是指Wafer,三小是指Bump、RDL、TSV。随着技术和工艺的发展,大要素会越来越大,而小要素则会越来越小、越来越薄。 Bump是一种金属凸点,从倒装焊Flip-Chip出现就开始普遍应用了,Bump的形状也有多种,最常见的为球状和柱状,也有块状等其他形状。Bump起着界面之间的电气互联和应力缓冲的作用,从Bond-wire工艺发展到Flip-Chip工艺的过程中,Bump起到了至关重要的作用。Bump尺寸从最初Standard Flip-Chip的100um发展到现在最小的5um。 RDL是重布线层,线路目前3-5μm,陆续突破。RDL(Re Distribution Layer)重布线层,起着XY平面电气延伸和互联的作用。在芯片设计和制造时,IO Pad一般分布在芯片的边沿或者四周,这对于Bond Wire工艺来说自然很方便,但对于Flip Chip来说就有些勉强。因此,RDL就派上用场,在晶圆表面沉积金属层和相应的介质层,并形成金属布线,对IO端口进行重新布局,将其布局到新的,占位更为宽松的区域,并形成面阵列排布。在先进封装的FIWLP、FOWLP中,RDL是最为关键的技术,通过RDL将IO Pad进行扇入或者扇出,形成不同类型的晶圆级封装。在2.5D IC集成中,除了硅基板上的TSV,RDL同样不可或缺,通过RDL将网络互联并分布到不同的位置,从而将硅RDL基板上方芯片的Bump和基板下方的Bump连接。 在3D IC集成中,对于上下堆叠是同一种芯片,通常TSV就可以直接完成电气互联功能了,而堆叠上下如果是不同类型芯片,则需要通过RDL重布线层将上下层芯片的IO进行对准,从而完成电气互联。 TSV硅通孔主要功能是Z轴电气延伸和互联的作用,按照集成类型分为2.5D TSV和3D TSV。2.5D和3D的区别在2.5D TSV是指的位于硅转接板Interposer上的TSV,3D TSV是指贯穿芯片体之中,连接上下层芯片的TSV。TSV的制作可以集成到生产工艺的不同阶段,通常放在晶圆制造阶段的叫Via-first,放在封装阶段的叫Via-last。目前,业界已开始在高端的Flash和DRAM领域采用Via-last技术,即在芯片的周边进行硅通孔TSV制作,然后进行芯片或晶圆的层叠。TSV的尺寸范围比较大,大的TSV直径可以超过100um,小的TSV直径小于lum。随着工艺水平的提升,TSV可以做的越来越小,密度也越来越大,目前最先进的TSV工艺,可以在芝麻粒大小的1平方毫米硅片上制作高达10万-100万个TSV。和Bump以及RDL类似,TSV的尺寸也会随着工艺的提高变得越来越小,从而支撑更高密度的互联。 问:目前国内晶圆级封装进展? 答:晶圆级封装相对较少,和需求、成本有关。台湾和大陆的主要差异在于:大陆注重制造、降本,晶圆级相对高阶,预计24-25年需求逐渐复苏,直至27年需求量逐渐增加,投资、人才会不断涌入,目前相对初期。中国台湾和韩国发展相对较早,大陆主要是基本的flip-chip,芯片级开发相对少,原因在于①需求,大陆比较以需求面为主,有需求才可能进一步加大投资;②人才引进,高阶人才来做高阶产品,开发会相对快速;③设备技术,即使供应链都有了,芯片部分还是需要再进一步的发展。 问:先进封装3D堆叠结构如何解决散热问题?温度管理是否存在新技术或材料? 答:和材料和设计相关,一般会做仿真模拟。硅晶圆是砂石材料,散热系数比较高,堆叠起来之后从上下左右散热,材料之间界面接触,运算温度相对高。主要要看设计面,主要是看发热源在哪,导通孔设计大一些,散掉热源。运算处理器设计成导通,如果有compound,需要用高散热材料做;如果有高散热需求,可以用散热胶、散热片,或者做裸die。 问:PLP板级封装国内进展如何? 答:大陆目前相对少,还不成熟。类似2.5D/3D,需要先有需求。大陆比较注重市场需求导向,有市场需求才愿意投资,正在开发中的公司有订单才愿意加大投入,而且还存在预期效应。设计原理和板子/框架都是一样的,用排版率最好的标准做设计。材料越来越薄,尺寸越大形变量、应力就会越来越大,可能存在翘曲问题,良率会相对比较低,主要看工艺能做到多大,排版利用率、良率等存在极限。越大就需要设计几何图形进行排版布局,不要有太多空旷区,如果芯片比较空,就没有支撑力,更容易有形变,如果做应力支撑设计。PLP的选择主要考虑量和成本。如果量大且需要降本就会选择PLP,利用率更大,取决于最开始的设计。
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