东京电子最近宣布自己旗下的等离子体蚀刻系统的开发和制造基地，已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，用于堆叠超过400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。目前国内长江存储在有先进设备的支持下，可以做到232层堆叠，而东京电子新的蚀刻技术，则可能让未来的闪存芯片在性能和容量上踏入一个新的台阶。

据悉这项新的蚀刻技术，可以在短短半小时内完成10微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，而且蚀刻结构的几何形状相当明显，也有助于制造更高容量的3D NAND闪存芯片。东京电子也发布了蚀刻后的相关影像，包括蚀刻后通孔图案的横截面SEM图像，以及孔底的FIB切割图像，另外还有东京电子的3D NAND闪存芯片的案例。

不过东京电子的蚀刻技术大概率是无法在国内引入的，因为按照之前美国的半导体管控，先进的NAND堆叠技术是无法出口到中国的，包括设备也是如此。所以国内的长江存储现在产能也因此受到了不小的影响。而东京电子也有很多技术和设备因为半导体管控而无法输入到国内，所以很显然这个蚀刻技术以及相应的设备，暂时是无法进入国内的。

据2023年6月发表的一篇关于该设备的论文称，东京电子的新型蚀刻机可以在极低的温度下进行超快蚀刻。据称，该蚀刻机可以在33分钟内蚀刻10微米。

业内消息人士称，东京电子还将使用由新激光制成的气体以及氩气和氟化碳气体。消息人士称，该蚀刻机受到芯片制造商的好评，他们可能会批量购买这些设备。三星从去年开始就对这款新型蚀刻机进行测试，其正在考虑从第十代之后的NAND芯片开始使用该设备。

消息人士还称，泛林集团认为，当该蚀刻机开始发货时，其市场份额可能会被东京电子夺去10%~15%。

来源：芯榜