台积电近日在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，正式披露其2纳米（N2）制程技术的最新细节。这项技术标志着半导体制造领域的又一次飞跃，不仅在性能和能效方面实现了突破，还为未来芯片设计提供了更多可能性。

根据台积电的介绍，N2制程采用了“纳米片”（nanosheets）技术，与前代制程相比，性能提升了15%，功耗降低了30%。这一显著进步得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管的应用。这种晶体管结构通过更高效的电流控制，显著优化了芯片的性能与能效。此外，台积电还引入了N2 NanoFlex技术，这一创新允许在最小面积内集成不同类型的逻辑单元，从而进一步提升晶体管密度。据悉，N2制程的晶体管密度较前代提高了1.15倍。