3 月 24 日消息，九峰山实验室于 3 月 22 日在官方公众号发布博文，宣布在氮化镓技术领域取得多项重大成果，引发行业高度关注。

氮化镓：第三代半导体的 “潜力股”

氮化镓作为第三代化合物半导体材料代表，凭借高频率、高功率和高效率特性，成为众多行业 “游戏规则改变者”。在消费电子领域，GaN 充电器已实现小巧高效充电。在无线通信、卫星通信等高端应用中，它更是核心驱动力，正迈向规模化应用。

国际首创 8 英寸硅基氮极性氮化镓衬底

氮化镓晶体极性方向影响器件性能。九峰山实验室全球首次在 8 英寸硅衬底上制备出氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N - polar GaNOI），打破国际技术垄断。其突破体现在：采用硅基衬底，兼容 8 英寸主流产线设备，集成硅基 CMOS 工艺，控制成本；材料性能与可靠性兼具；键合界面良率超 99%，为产业化奠定基础。

全国首个 100nm 高性能氮化镓流片 PDK 平台

PDK 是半导体制造关键工具包。九峰山实验室推出国内首个 100nm 硅基氮化镓商用 PDK，拥有多项自主知识产权。它采用 100nm 栅长技术，跨代际开发，提升器件截止频率，覆盖毫米波频段；通过设计降低电流崩塌等，提升性能；结合氮化镓与硅基优势，未来可拓展至 8 寸以上，降低成本。

20 米远距无线传输能量

九峰山实验室基于自研 GaN 器件，构建动态远距微波无线传能系统，实现 20 米内对无人机动态无线供能示范验证。突破传统无线充电距离限制，解决功率波动与效率低难题，为多领域提供创新技术储备。

总结

九峰山实验室的氮化镓技术成果意义重大。亿配芯城与ICGOODFIND将持续关注行业动态，为客户提供优质芯片产品与专业服务，助力行业发展。