2024达沃斯论坛上，英特尔CEO基辛格表示：在美日荷的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年，未来全球50%的芯片将由美国企业制造。

基辛格称：由于芯片产业政策原因，导致芯片制造业集中在亚洲国家，而美国为了提升本土的芯片制造业实力，推出了《芯片与科学法案》，试图改变这一被动局面。

该法案计划提供527亿美元的补贴，以吸引各国芯片产业转移至美国，同时限制接受补贴的芯片企业在中国投资。其中，392亿美元直接用于芯片产能的扩建。

根据美国媒体的报道，英特尔、美光、德州仪器、三星、台积电分别获得32%、21%、14%、13%、10%的芯片补贴，这几大企业占了90%，剩余10%分给其他企业。

如果按照这个分配比例，英特尔将拿到168亿美元左右，美光拿到111亿美元左右，德州仪器分到74亿美元，三星分到69亿美元，而台积电分到53亿美元。

看来，美国的芯片法案还是向着美国本土企业，三星、台积电这些企业到底只是干儿子啊。

2023年，美国、日本、荷兰相继出台了半导体设备出口限制政策，在原来限制EUV设备的基础上，又增加部分浸润式DUV设备。

简单来说，就是限制用于制造14nm以下逻辑芯片的设备、16nm DRAM芯片的设备、128层NAND Flash的设备，这些设备的出口，必须要拿到出口许可证。

设备的限制，导致中国芯片只能制造14nm、7nm芯片，而台积电、三星、英特尔则开始向3nm、2nm甚至更精密的芯片进军，不出意外的话，台积电的2纳米芯片将应用于2025年上市的iPhone 17。

那么中国芯片企业呢？真的如基辛格所说，在技术上落后10年吗？

芯片技术涉及的面非常广，覆盖设计、制造、封装、EDA工具、半导体设备、半导体材料等。

如果把中国芯片比作一个木桶，而每一个环节比作是木桶上的一块木板的话，结果就会如下所示：

我们称之为木桶原理，也就是说木桶能够装多少水，不是由最长的木板决定，而是由最短的那块板决定的。

举个最简单的例子，华为能够设计出3nm手机SoC，但事实上华为手机搭载着最先进的SoC仍然是几年前的麒麟9000，采用的是台积电5nm制造工艺。

而纯国产打造的是麒麟9000S，工艺在7nm左右，就这还是在使用进口设备的前提下。

造成这种尴尬局面的原因，就是因为我们在半导体设备方面的落后，尤其是光刻机方面。

整个芯片制造需要几十种设备，最为核心的大约有9种，分别为光刻机、蚀刻机、离子注入机、CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）、机械抛光机、金属蒸发设备、清洗机、检测机。

光刻机方面，目前实现量产的是上海微电子的90nm光刻机，多次光刻后可以制造55nm芯片，与世界最先进的3nm差距非常大。

刻蚀机方面，国产设备具备一定的优势，中微半导体公司的刻蚀机已经达到了5nm水平，并且成功进入台积电的产业链。

目前正在攻关3nm技术。

但是存储芯片企业更愿意进口泛林集团的设备，毕竟因为它采用了最新的电刻技术，可以刻蚀出更多的层数。

离子注入机方面，中电科已经实现了28nm工艺制程全覆盖，可用于28nm逻辑器件、存储器件、功率器件、传感器等的制造，勉强算是打破了西方的垄断。

CVD、PVD方面，国内企业北方华创、拓荆科技、上海盛美也实现了突破，整体替代率达到了13%。

机械抛光机，国内的代表为华海清科，整体替代率为20%左右。

清洗机，国内代表为上海盛美、致纯科技，整体替代率为50%。

检测机方面，国内有睿励科学、精测电子、和御渡，整体替代率达到了9%。

也就是说，九大核心设备方面，我们都实现了国产化，但是精密程度参差不齐，表现最拉胯的依然是光刻机。

光刻机号称工业皇冠上的明珠，是芯片制造设备核心中的核心，使用率达到了24%。但是，目前光刻机被荷兰ASML垄断了。

最顶级的新型高数值孔径（High NA EUV）的极紫外光刻机，被ASML100%垄断，顶级的EUV光刻机也被ASML垄断。

先进的浸润式DUV光刻机市场份额达到了95%左右。

那么国产光刻机什么时候才能达到ASML的水平呢？短期真的很难。

我们以EUV光刻机为例，近10万个零部件，3000个精密轴承，2000条线缆，来自全球3000多家供应商，荷兰本土供应商占比32%左右，北美供应商为占比27%，亚洲供应商占比27%；欧洲供应商占比14%左右。

中国大陆供应商比重非常小，而且提供的都是一些无关紧要的设备，几乎可以忽略不计。

这种情况下，我们无法切断ASML的技术和设备升级，只能快速提升国产配件厂商的技术水平。

目前来看，初步做到了28nm核心部件的替代。

光源由北京科益虹源打造，以准分子激光器为基础，得到579nm基频光，穿过非线性晶体，获得289.5nm的倍频激光，进一步得到193nm光源。

双工作台由清华大学和华卓精科共同打造，可用于28nm光刻机。

浸没系统由浙江启尔机电打造，温度稳定性误差达到了0.001度，仅次于ASML和日本尼康，符合国际先进水准，可以满足28nm光刻技术。

光学镜片：由中科院长春光机所制造，工艺方面达到了28nm光刻机的要求，但与德国蔡司差距巨大。

核心零部件攻克了，就意味着国产28nm光刻机不远了。

但是，ASML第一台浸润式光刻机是2004年制造出来的，如果仅从时间节点看的话，差距达到了20年。

而ASML的第一台EUV光刻机，是在2014年发布的，距今也已经有10年时间了。

如果从我们的最短板的光刻机来看的话，差距的确达到了10年以上，也就是说英特尔CEO基辛格说的是对的。

但是，这个10年，是中国一家以自己最大的短板，对全球最领先的技术，看起来很不公平，但世界就是如此。

基辛格认为，未来全球50%的芯片都将由美国晶圆厂制造，这可能吗？

受益于美国《芯片与科学法案》527亿美元的补贴，台积电、三星、英特尔、美光等，将会加大在美国扩产的力度。

比较有名的，就是台积电投资400亿美元在美国亚利桑那州建造两座晶圆厂，一座为5nm晶圆厂，另一座为3nm。

原本计划2024年投产，但现实恐怕2025年都未必能实现。

原因很多，主要包括：1、基础设施落后，短期内无法满足投产需求；2、美国当地没有熟练的技术工人，去其他地方招聘，又受到美国工会阻拦；3、美国工人太难管理；4、补贴不到位。

台积电就是最好的例子，三星去建厂只会更难，甚至英特尔、美光这些本土企业都不会顺利。技术、设备上没问题，但实际操作起来阻力重重。

反观我们国产芯片，拥有最好的基础设施，最优秀的技术工人，补贴也不存在问题。唯一的难题就是缺少半导体设备。

好在国内芯片企业在去年疯狂囤购了大量的半导体设备，完全可以满足未来几年的需求。

分析机构预测，2023年中国芯片产能为760万片/月，预计2024年新增18个项目，产能将达到860万片/月，未来5年实现翻番，达到1500万片/月。

5年时间，国产28nm光刻机完全能够实现量产、技术升业配套，国产7nm生产线打磨完毕，依然会留住更多的芯片代工份额。

而美国则需要彻底改变他们的工作态度，让一线的技术工人，甚至整个国家“卷”起来，才能够将芯片产能迁移至美国本土。

996，每天工作12小时，周末轮班，美国工人能做到吗？显然不能。

为此，英特尔计划采用 AI系统代工厂，来引领半导体的未来之路，但是美国工会不是吃素的，取代美国工人将会遭到巨大的反噬。

总的来说，中国芯片技术落后是不争的事实，我们要坦然接受，至于落后多少年，其实并不重要，因为未来中国芯片将成为世界不可或缺的重要一环。

至于美国制造全球50%的芯片，姑且当个笑话看看得了。因为习惯了咖啡、旅游的美国工人，宁愿走上街头罢工，也不会在工厂加班。

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