文 |鳄娱海棠

编辑 |鸣乔

前言

就在前不久，全球的半导体行业被一条来自于中国的消息彻底“炸开了锅”——中国科学院宣布成功研发出了基于固态激光技术的DUV（深紫外）光刻机，并宣称它的性能可支持3nm工艺！

这一成果不仅打破了欧美方面的技术垄断，更是让荷兰光刻机巨头ASML的“专利铁幕”首次被撕开了一道裂缝。

曾几何时，光刻机就被很多人们视作是中国科技“永远翻不过的高山”。

在过去的十几年里，中国为购买一台高端光刻机，不仅要面对美国、荷兰、日本的技术封锁，甚至很多的中低端设备也都屡屡受到限制。

甚至有外媒曾断言说：“中国十年内造不出EUV光刻机。”然而，正是这种极端的外部压力，反倒逼着中国走上了一条“绝地反击”之路。

全球现有的DUV光刻机均采用了氟化氩准分子激光技术，它依赖于稀有气体激发深紫外光。

这种技术不仅维护成本很高，在核心材料方面也很稀缺，还容易被“卡脖子”。

而中科院的这次突破，恰恰是在于绕开了这条传统的路径，选择了一条完全不同的路——固态激光技术。

这一新路径用国产晶体作为能量的核心，通过量子级联技术来精准的调控激光波长至193纳米，彻底的摆脱了对稀有气体的依赖，这也使得光刻机的维护成本直接降低了30%。

大家可以想象一下，在晶圆表面同步完成0.1纳米精度的雕刻与缺陷扫描是什么概念呢，这就相当于“在头发丝横截面上同时完成微雕和质检”。

另外通过多重的曝光技术，现有设备已展示出了适配7nm制程的潜力，未来甚至还有可能会实现“用DUV设备达到EUV精度”的奇迹。

不过也有一说一，虽然咱们在光刻机方面的技术上取得了巨大的突破，但现中科院研发出的样机目前仍然存在着一些短板，目前它的工作效率和稳定性尚未达到商用的水平，更多的只是适用于实验室或者小规模的试产。

但这一技术的可行性已经获得了国际光电工程学会的认可，这也为后续它的迭代奠定了基础。

对于中国光刻机的突破，恐怕最难受的还是荷兰的光刻机制造巨头ASML公司了，毕竟如果中国的光刻机在国内实现全面的量产，那则意味着中国不再受国外芯片垄断的限制，而这直接触动了ASML的核心利益。

据2024年的相关数据显示，ASML公司的全球营收有近36。1%来自于中国大陆（约794亿元人民币），远超韩国、美国等市场。

而中国自主研发的光刻机设备一旦量产，性价比堪称“碾压”，值得一提的是，据相关披露，目前国产的28nm光刻机的价格仅为ASML同类产品的五分之一，而且良品率却高达92.3%，这让ASML在芯片领域的垄断地位直接受到了威胁。

荷兰的媒体《新鹿特丹商报》上直言：“中国用固态激光技术撕开了ASML的专利铁幕，这比美国的芯片禁令更具有杀伤力。”这也是对那些所谓的西方精密制造业的终极嘲讽。

我国光刻机取得的重大突破绝非是一个孤立的事件，在这一事件的背后实则是中国半导体

产业链的全面升级。

相比于以前，现如今我国的半导体设备国产化率已经从7%跃升到了32%，而且几乎覆盖了光刻胶、光学元件、精密温控等关键领域。

据说中芯国际的防震车间采用了38层混凝土隔离层，温度波动也控制在±0.001℃以内，即使是外面刮着20级的大风，车间里的蜡烛都不会有任何晃动，这也体现出了我国芯片制造基础设施的完善。

目前我国已经申请了多项国际专利，涵盖了非化学计量比晶体合成法等核心技术，彻底的打破了《瓦森纳协定》的封锁。

毫不夸张的说，如果我国彻底的掌握了DUV技术，那么全球的半导体格局将彻底改写，而如今这一预言正在成为现实。

我国已经占据了全球70%的成熟制程芯片产能，而新技术的突破将进一步挤压ASML在高端市场的份额，进一步撼动ASML的市场垄断地位。

对全球产业而言，中国光刻机的崛起意味着彻底打破了欧美的芯片垄断，中国从“跟随者”迈向了“引领者”，再加上我国光刻机设备的低价高质，这将极大推动成熟制程芯片的价格下降，进一步加速物联网、汽车电子等领域的普及。

中国光刻机的突破，不仅是技术层面的胜利，更是一个文明古国在科技赛道上加速超越的宣言。

这正应了网上流行的一句话：“曾经你对我爱答不理，如今我让你高攀不起！”

当ASML为“失去中国市场”夜不能寐时，中国半导体产业已悄然翻开新篇章——用自主创新，来定义未来。

相信在未来，我们在光刻机等一系列高精尖领域都会取得里程碑式的突破，我们有信心，这份信心，来自于我们传承几千年的民族自豪感。

参考资料：电子工程网——中科院研究人员成功研发突破性固态深紫外（DUV）激光，光源波长与DUV曝光技术一致