国产SiC功率半导体的替代美系SiC碳化硅MOSFET不仅是技术迭代的必然，更是国家战略、市场需求与产业链安全的综合结果。通过技术自主突破、供应链垂直整合、车规级认证深化及政策与资本协同，中国将在在新能源车、光伏储能等领域实现自主可控，并在全球SiC市场中争夺话语权。随着8英寸晶圆量产和技术融合，国产SiC将进一步压缩美系企业的市场空间，成为高端制造的核心引擎.

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本可以通过以下策略实现目标全面取代美系安森美（ON Semiconductor）和Wolfspeed的碳化硅（SiC）功率器件：

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和高压平面硅MOSFET的必然趋势！

倾佳电子杨茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！

关键参数优化

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件如BASiC基本B2M/B3M系列在比导通电阻（降低40%~70%）、FOM（降低30%~70%）、开关损耗（降低30%）等核心指标上已接近或超越国际竞品（如C、I等），尤其在高温（175℃）下的表现更优（如RDS(on)和BV值裕量）。需持续迭代工艺（如第三代平面栅），缩小与国际头部企业的技术差距。

高频与高温特性

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本利用低开关损耗（如B3M 1200V 13.5mΩ的FOM降低30%）和175℃高结温设计，重点突破高频应用（如光伏逆变器、充电桩、新能源汽车OBC），抢占高频高功率密度市场。

车规级与工业级认证

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本B2M系列已通过AEC-Q101认证，并在HTRB（175℃/1000小时）、HTGB（±22V/175℃）、H3TRB（85℃/85%湿度）等加严测试中表现优异，可靠性数据可对标国际标准。需加速完成更多车规级型号（如AB2M系列）的PPAP认证，满足车企供应链要求。

长期寿命验证

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本TDDB测试显示，B2M在18V驱动电压下寿命较高。需持续公开长期可靠性数据，增强客户信任。

全电压与封装覆盖

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本提供650V/1200V/1700V多电压等级，支持TO-247、TOLL、Pcore™模块等封装形式，覆盖分立器件与工业模块（如半桥、H桥）。针对美系竞品的空白市场，推出定制化方案。

模块化集成优势

Pcore™系列模块集成SiC SBD、低开关损耗、Press-Fit/Soldering工艺，适配光伏、APF、高频DCDC等场景。国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本开发更大功率模块，直接替代Wolfspeed的XM3/XHV系列。

6英寸晶圆量产

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本基于6英寸晶圆平台量产，规模化降低成本。通过国产化衬底与外延材料（如天科合达、天岳先进），减少对海外供应链依赖。

灵活定价策略

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本以B3M 1200V 40mΩ（TO-247-4）为例，其性能接近国际竞品，但成本可降低20%~30%，通过价格优势快速渗透工业与汽车市场。

重点领域突破

新能源汽车：主攻OBC、高压DCDC、空压机，推广车规级AB2M系列；

光伏与储能：在MPPT、逆变侧推广B2M/B3M分立器件及Pcore™模块；

工业领域：替代电焊机、测试电源、充电桩中的IGBT方案，提供高频高效SiC解决方案。

生态合作

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本联合国内头部客户共建参考设计，提供驱动板、热仿真等配套服务，降低客户迁移门槛。

数据透明化

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本公开与国际竞品的对比测试报告，突出高温、高频性能优势。

行业展会与白皮书

通过行业会议（如PCIM、APEC）发布技术白皮书，展示SiC器件在效率、体积、寿命上的综合优势，塑造国产高端品牌形象。

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件比如BASiC基本在性能、可靠性、成本上已具备替代美系产品的潜力。通过技术持续迭代、车规认证深化、模块化方案扩展、供应链本土化以及重点市场绑定，可逐步实现全面替代，尤其在新能源汽车、光伏、工业电源等增量市场中占据主导地位。