近年来，台积电（TSMC）除了积极投资先进制程节点，以保证竞争优势外，还逐步加大了在封装技术方面的投入力度。随着2nm工艺在2025年下半年实现量产，台积电也在加速先进封装领域的扩张，以满足市场的强劲需求。
英伟达Rubin将采用台积电SoIC技术台媒《工商时报》今日宣称，英伟达将于2026年推出的下一代AI GPU 产品Rubin 将导入多制程节点芯粒设计，其中计算芯片采用台积电N3P制程，对PPA要求较低的I/O芯片则会使用N5B节点。
每个Rubin GPU将包含2颗计算芯片和1颗 I/O芯片，整体采用SoIC三维垂直堆叠先进封装工艺集成，然后再使用CoWoS工艺连接8个36GB HBM4片外内存堆栈。
台媒援引分析机构的话称，台积电2025年底的 SoIC 产能将达到每月1.5~2万片，明年这一水平则将翻倍。
英伟达已决定在Rubin架构GPU上引入据悉，此前苹果已决定跟随AMD，成为台积电SoIC封装的又一个客户，预计2025年下半年开始启用新技术，集成到M5系列芯片上。英伟达也决定采用SoIC封装，用于下一代Rubin架构GPU。
有消息称，Rubin将是英伟达首个采用chiplet设计的GPU，计算模块部分选择了N3P工艺，I/O模块则是N5B工艺，然后通过SoIC封装将两个计算模块和I/O模块集成在一起。竞争对手AMD在更早之前已经采用了SoIC封装，在Instinct MI300系列产品上，AMD使用了SoIC-X封装将CPU和GPU芯片堆叠在基础芯片上，并进一步集成到CoWoS封装里。
虽然SoIC封装已经逐渐得到了客户的肯定，而且有AMD、苹果和英伟达这样的大客户支持，但是现阶段CoWoS封装仍然是重点，这也是过去几年里台积电封装产能提升的关键，其中CoWoS-L封装占了大部分需求。
台积电的3D Fabric系统集成平台对先进封装进行了分类，包括三个部分，分别是用于3D芯片堆叠技术的前端封装SoIC、以及用于后端先进封装的CoWoS和InFo系列。SoIC作为基于CoWoS+WoW的封装方式，与一般的2.5D解决方案相比，不仅可以降低整体功耗，还拥有更高的密度和更快的传输速率，提供更高的内存带宽。SoIC另一个好处是占用面积小，节省空间，并能降低集成电路板的价格，从而节省成本。
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