作为现代工业的“粮食”，芯片一直都是各国都重视的产业，而一颗完整的芯片要想在市场中落地应用，一共要经过设计、制造、封装和测试这四个环节。虽然目前我们在芯片的设计、封装和测试方面都达到了国际一流水平，但在芯片制造方面还存在短板，尤其是在高端芯片领域，目前只有台企台积电和三星能够量产先进制程的手机芯片。

也正是因为如此，为了限制华为麒麟芯的发展，美方直接强行修改了芯片规则和出台了“芯片法案”，威逼利诱台积电停止给华为代工麒麟芯，就连三星也只能“言听计从”，毕竟它们或多或少都使用了美国的技术专利和设备。而随着高端芯片的供应被切断，华为也是陷入了无芯可用的窘境，没有了麒麟芯的加持，华为手机业务更是一落千丈，迅速跌出了第一梯队，可谓是触目惊心。

然而即便如此，美方也没有停手，反而针对我们的半导体行业展开了全面的制裁。为了将我们卡死在14nm制程，美方不仅禁止ASML出售EUV光刻机给我们，还拉拢日本、荷兰签订了三方协议，连2050i和1980等型号的中端DUV光刻机都被限制出口，简直是在“下死手”！但让美方万万没想到的是，倾尽全力对我们打压的这几年，虽然将华为等中企打得元气大伤，但依然无法击垮这些企业，甚至得益于坚持不懈的努力和大力投入研发，我们已经开始实现了“突围”。

比如在2023年8月底华为就携带麒麟芯强势回归，并且搭载麒麟芯的华为手机还在今年Q1季度以17%的份额再次力压苹果占据了国内智能手机第一的宝座，可以说大快人心！而更让美方难受的是，除了华为麒麟芯的强势回归外，我们的复旦大学近期又突然宣布了一项重大突破，据媒体报道，复旦大学周鹏-刘春森研究团队，研发出了一种可以绕过光刻机设备的自对准工艺，可结合超快存储叠层电场设计理论，将闪存芯片推进至8nm！

也就是说在存储芯片领域，可以通过这种新工艺绕过光刻机直接造出8nm制程的闪存芯片！据悉目前该论文已经发表于国际权威期刊《自然》上面。

要知道在目前的硅基闪存芯片领域，制程工艺的极限在15nm，只要低于15nm工艺就会十分不稳定，所以就连三星和SK海力士都没有追求更先进的制程工艺，而是通过多层堆叠来实现性能的提升。但复旦大学研究团队表示，通过自对准工艺和超快存储叠层电场设计理论是可以不依赖EUBVB光刻机，便能将闪存芯片的工艺达到15nm以下，甚至8nm这样的制程工艺的。

不仅如此，据研究人员表示，这种闪存芯片采用的是也是全新的二维半导体结构，其在速度上预计会有1000倍的提升，并且还能具备超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能的优势。所以一旦这种技术大规模应用和实现量产，那么全球的闪存芯片格局都将被改写、被颠覆！对此就连外媒都纷纷表示：越封锁中国芯片反而越来越强大了，美芯企业大势已去了！

俗话说真理永远存在于炮弹的射程范围之内，落后就要挨打！在几十年前我们在半导体制造领域起步较晚，导致一直被国外卡着脖子。而随着华为麒麟芯的横空出世，美方又企图通过实施禁令的方式来限制我们芯片的发展，但让它们没想到的是，得益于坚持不懈的努力研发和百折不挠的精神，我们的半导体芯片行业正开始快速崛起，如今不仅华为麒麟芯再次回归，复旦大学也研发出了绕过光刻机造8nm闪存芯片的新工艺，可以说只要这种工艺技术实现量产，那么未来的中国芯片必然会再度强势崛起，打破所有封锁！认可的请点赞！