导读：10月13日据佳能（Canon）官网披露，正式推出旗下最先进的新一代纳米压印（NIL）设备FPA-1200NZ2C。
图：佳能官网
佳能宣布，NIL技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的5nm逻辑芯片。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm逻辑节点。由于日本政府已将先进制程设备纳入出口管制，而关于NIL设备是否在管制范围内，佳能仅表示会遵照法规规范来执行。受此消息影响，ASML股价当日跌2.76%。据日本产经新闻报道，佳能欲借NIL设备挑战垄断了先进光刻工艺的荷兰ASML。在此之前，佳能长期位居全球光刻设备市场第三。
图：佳能FPA-1200NZ2C
区别于目前主流的光刻设备须经曝光将电路图案“烧”在硅片上，NIL（纳米压印）则是类似印章一样直接将电路图案压印在硅片上的技术，因此严格上不能称之为“光刻机”。由于可以一次性形成电路，对比传统光刻可以缩短制程时间、更省电，同时设备结构简单、成本低廉。1995年，华裔科学家周郁（Stephen Chou）教授首次提出纳米压印概念，从此揭开了纳米压印制造技术的研究序幕。2009年，美国从事纳米压印基础技术研发的Molecular Imprints公司（MII）曾规划将NIL技术用于32nm逻辑节点生产制造，但最终因效率、缺陷率和资金问题未能量产。到2003年，纳米压印作为一项微纳加工技术，被纳入国际半导体技术蓝图（ITRS）。2014年，佳能收购了MII，而实际上佳能从2004年就开始一直秘密研发纳米压印技术，直到收购MII公司将其更名为Canon Nanotechnologies，从而进入NIL市场。同时，佳能和日本光罩厂大日本印刷、铠侠（当时为东芝）携手研发NIL技术，并在铠侠和SK海力士尝试了存储器的制造。
图：使用NIL设备制造的光学器件
与此同时，NIL的技术原理也限制了它在半导体领域的商业化。由于需要极高精度和频率的接触，掩膜和硅片两种材料将同时面临磨损、寿命、应力和精度等问题。尽管避开了要求极致的光学路线，但随着工艺和效率的要求，NIL设备要想达到EUV光刻机的量产能力，也将面临一系列材料学和力学问题。作为光刻路线的“备胎”，NIL的优点缺点都很突出，但这些也是NIL技术迄今为止没有成为主流乃至被任何一家大厂投入量产的原因。毕竟，技术到商业化可能是一道鸿沟，也可能是不可逾越的深渊。
