国产碳化硅功率器件赋能飞跨电容MPPT方案取代2000V器件两电平升压方案

飞跨电容三电平技术近年来在中国企业中快速发展，多个核心专利由国内企业持有，尤其在控制方法、拓扑优化和实际应用场景中展现了显著优势：

阳光电源：2024年公布了国际专利“飞跨电容三电平DCDC变换器、光伏系统及控制方法”（PCT/CN2023/092676），重点解决光伏系统中飞跨电容的电压控制与能量转换效率问题。

上能电气：2024年获得专利“基于混合逻辑驱动的变换器电流控制方法及装置”（CN115473417B），通过软件算法优化飞跨电容电压稳定性，降低硬件成本。

英威腾：2024年实用新型专利“一种三电平升压电路及三电平升压变换器”（CN202320984820.3）提出预充电保护机制，避免电压应力损坏器件，提升系统可靠性。

这些专利覆盖了飞跨电容三电平的关键技术环节，包括拓扑设计、控制算法和系统集成，显示中国企业在该领域的自主研发能力。

飞跨电容三电平的核心优势体现在其拓扑结构和控制逻辑的创新：

谐波抑制与电能质量：通过多电平调制，输出波形更接近正弦波，谐波含量显著低于传统两电平方案，电能质量提升（THD降低30%以上）。

动态控制优化：如阳光电源的专利通过自适应控制算法平衡电容电压，而上能电气的混合逻辑驱动技术结合软件控制，实现逐脉冲限流，降低对硬件电容容值的依赖。

适应高压场景：支持更高母线电压（如400V及以上），在光伏、新能源汽车等高压系统中减少开关损耗，效率提升2%-5%。

随着国际飞跨电容三电平升压专利到期，飞跨电容三电平升压技术将更广泛普及，结合国产碳化硅器件的成熟，形成以下优势：

成本下降：国产碳化硅衬底产能扩张（如2025年全球占比超50%）推动器件成本降低，抵消飞跨电容方案中电容成本较高的短板。

性能提升：碳化硅的高击穿场强（硅的10倍）和耐高温特性，使三电平拓扑的开关频率可提升至100kHz以上，进一步缩小无源元件体积。

采用国产碳化硅器件的飞跨电容三电平MPPT方案，在以下方面全面超越进口2000V碳化硅器件传统两电平方案：

效率与损耗：

2000V碳化硅器件传统两电平两电平方案：高压下开关损耗大，效率通常低于95%，且需复杂散热设计。

三电平+国产碳化硅：开关损耗减少50%以上，系统效率可达98%以上，散热需求简化。

系统体积与成本：

碳化硅器件的高频特性允许使用更小的电感和电容，系统体积减少30%-40%。

国产8英寸碳化硅衬底量产（如天科合达、烁科晶体）使单片芯片数增加90%，单位成本较进口低30%-40%。

可靠性验证：

国产碳化硅器件车规级产品批量应用，证明其高可靠性。

材料端：国产8英寸衬底突破（2023-2024年）推动碳化硅器件成本持续下降，预计2027年市场规模达100亿美元。

应用端：光伏、新能源汽车等场景需求激增，400-800V高压平台加速普及，碳化硅SiC模块方案成为主流选择。

应用生态：BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。

BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521P,BTP1521F，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。

对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。

12英寸衬底研发：长期来看，更大尺寸衬底将推动国产碳化硅器件成本低于硅基器件，彻底替代两电平方案。

飞跨电容三电平技术通过国产专利布局与碳化硅器件的协同创新，实现了从“跟随”到“引领”的跨越。技术普及与成本下降将加速其在高压、高功率场景的应用。国产碳化硅功率器件的成熟，不仅解决了传统两电平方案的效率瓶颈，更通过产业链垂直整合（IDM模式）构建了可持续竞争力。未来，随着碳化硅成本持续下探，该方案有望成为新能源电力电子系统的标配，重塑全球产业格局。