据报道，三星将在本月晚些时候宣布其 Galaxy S25 系列的四名成员，这家韩国巨头将首次向该系列推出“Slim”绰号。在最新的基准测试泄漏中发现了这种特定模型的证据，所谓的 Galaxy S25 Slim 正在使用高通最新和最好的芯片组进行测试骁龙 8 精英。令人印象深刻的是，尽管即将推出的旗舰产品外形纤薄，但 SoC 的性能内核以略高的频率运行，但遗憾的是，有一个问题，那就是手机获得的分数非常糟糕。
Galaxy S25 Slim 的型号被标识为 SM-S937U，就像基本的 Galaxy S25 一样使用 12GB RAM 进行测试，这款手机还具有确切的内存计数，这很高兴看到。据说作为 Snapdragon 8 Elite 集群一部分的两个性能核心的运行频率为 4.47GHz，效率核心的运行频率为 3.53GHz。在规格方面，Galaxy S25 Slim 的内部结构与其他产品保持不变，据传高端 Galaxy S25 Ultra 是唯一的版本随附 16GB RAM。
然而，纸张规格并不是衡量性能时唯一重要的指标，因为 Galaxy S25 Slim 在 Geekbench 6 的多核测试中表现不佳。在单核运行中，该设备获得了 3,005 分，高于 Galaxy S25 在之前的泄漏中取得的分数，但在误差范围内。遗憾的是，在多核类别中只获得了 6,945 分，现在是时候仔细研究这些数字了。这些低于标准结果的明显罪魁祸首是 Galaxy S25 Slim 的时尚底盘，它迫使 Snapdragon 8 Elite 等组件迅速变得灼热。
话又说回来，Geekbench 6 从来没有测量持续性能的工具，而只能简要说明硬件在运行几秒钟时的真实能力。当然，我们在之前的评估中可能是错误的，实际上是薄的外形因素导致了 Galaxy S25 Slim 的性能增量。随着三星准备1 月 22 日揭晓新系列，我们将更好地了解所有四个模型在通过一系列测试后的表现，因此请继续关注更多更新。
