哈工大正式官宣新技术，ASML的计划要落空了，外媒：已经挡不住了！

2024年最后两天，国内高等学府哈工大再度传来了好消息，内部的两项顶尖科研成果获得了黑龙江高校和科研所创新成果转化大赛一等奖，而其中一个关于EUV光刻机的配套技术引发了全球的关注。

而这项技术就是“放点等离子体极紫外光刻光源”，这是EUV光刻机的最核心技术，一直都被美国独家垄断着，这也是导致ASML失去自由出货的重要因素，如今伴随着哈工大的突破，全球半导体设备格局将再度被颠覆。

根据哈工大的介绍：该技术具有能量转换效率高、造价低、技术难度小等特性，可以提供精度为13.5nm的极紫外光，足以满足市面上对光刻光源的一切需求！这就意味着哈工大的自研技术，已经可以实现对于美国技术的平替了。

在消息传出后，ASML也彻底慌了，要知道这并非是国内首次传出光刻机突破的消息，很早之前长春光机所就宣布拥有制备EUV光源的能力，但他们技术方向和ASML是一致的，都是采用激光等离子体方案，这需要付出巨额的成本，这也是EUV光刻机价格高居不下的因素。

但这对于继续国产化的我们来说，只要能够实现技术突破，成本根本就不是该考虑的问题，在哈工大实现突破之后，相当于我们有了两套方案，在后续实现EUV光刻机自主化的过程中，可以实现自由的切换，西方国家的努力终究是白费了。

虽然EUV光刻机是全球最复杂的工业设备，但其核心技术解释起来并没有想象中的那么多，而这次哈工大突破的EUV光源技术就是其中的关键，而在其它核心技术上，国内的高校和研究所均已实现了不同程度的突破，其中就包括了微缩投影光学系统、EUV多层膜技术、光学加工与检测系统、双工件台等等技术。

EUV光刻机的零部件总量虽然超过了10万，大部分的核心技术都已经解决，余下的基本都是不具备技术含量的，完全可以依赖供应链去解决，就算海外不提供对应的技术和设备，我们也可以通过一定的时间去实现完全自主化，在有了芯片自主化经验之后，这一切似乎皆有可能了。

如今中国的半导体产业，和五年前对比已经有很大的区别了，我们在各个领域皆有涉及，如今ASML已经着急了，在前一段时间现任CEO克里斯托弗·富凯更是在公开场合直言：华为芯片虽然取得了显著成果，但依旧是落后于英特尔、台积电、三星至少10-15年。

此话一出，整个半导体行业都沉默了！要知道台积电也是在2018年才实现的7nm工艺量产，而我国如今也已经达到了这个层次，算起来也不过6年的时间，ASML的公开表态明显是有点扯了，这无疑是闹出了一个大笑话，外媒也直言：已经拦不住中国技术自主化了！

而我国迟迟无法迈入顶尖工艺，完全是因为EUV光刻机出货被限制了，不然拥有梁孟松的中芯国际，早在三年前就已经实现了7nm工艺的量产，如今我们也不用期待EUV光刻机能够放开限制了，只能期待技术的完全自主化。

如今有了哈工大官宣的新技术，相信要不了多久就可以实现技术的自主化了，西方国家垄断的局面已经一步步被打破了，我们愿意全球化合作的时候，他们出台了芯片规则将我们孤立，那自然就别怪我们在未来不给他们留机会了，对此你们是怎么看的呢？