日本报告表示，中国半导体实力进步、已逼近到仅落后台积电三年的水平，美国的管制措施，仅稍微拖慢中国的技术革新、但却刺激了中国半导体产业的进步。

调查公司以应用处理器(AP)「KIRIN 9010」和「KIRIN 9000」为例，「KIRIN 9010」采用7nm技术进行量产，而「KIRIN 9000」是台积电2021年时以5nm技术进行量产。

一般来说，电路线幅变细的话，半导体处理性能就会变高、芯片面积变小，「KIRIN 9010」的芯片面积为118.4平方毫米、和台积电5nm芯片面积(107.8平方毫米)差距不大，不过处理性能却几乎相同。

双方在良率上虽有差距，但光从出货的芯片性能来看，仅落后台积电3年，采用7nm技术却能达到和台积电5nm同等的性能，显示设计能力进一步提升。

除了存储器、感射器外，这款产品合计搭载了37个主要半导体产品，高达86%为中国制造。

非中国产品仅DRAM(SK Hynix)、运动感测器(Bosch)等5个。

关于中国能生产如此广泛的半导体产品，这代表美国管制对象实质上仅限于使用在AI等用途的服务器用先进半导体。