据悉，顶级欧洲芯片制造商英飞凌（Infineon）在马来西亚居林（Kulim）启动了其有史以来最大功率的芯片工厂的建设，标志着该国在全球半导体供应链中的影响力大大提升。

据英飞凌方面介绍，通过着眼于可再生能源、电动汽车和AI数据中心等行业的电气化应用需求，该工厂可在未来五年内实现满负荷生产，成为全球最大的碳化硅（SiC）工厂。

英飞凌首席执行官约亨·哈内贝克（Jochen Hanebeck）表示，新工厂得以提前投入建设，部分得益于其与公司位于奥地利菲拉赫（Villach）的主要开发和生产中心建立了虚拟连接。

马来西亚总理安瓦尔·易卜拉欣（Anwar Ibrahim）也出席了此次活动，并强调政府正致力于吸引全球更大规模的芯片投资，以及培养更多技术人才。

据了解，马来西亚是英飞凌在亚洲最大的芯片生产基地，也是其全球最大的芯片封装和组装业务运营中心。英飞凌居林工厂高级副总裁兼董事总经理黄国忠（Ng Kok Tiong）表示，英飞凌在马来西亚拥有约15,000名员工，比包括其德国总部在内的全球任何其它地方都多。

作为电源和微控制器芯片的市场领导者，英飞凌正在关注多种类型的宽带隙半导体，用于下一代电源解决方案，包括基于SiC和氮化镓（GaN）的半导体。

介绍称，宽带隙半导体比传统硅基芯片具有更高的温度和电压耐受性。SiC芯片对于高功率电动汽车充电解决方案和可再生能源基础设施等应用至关重要，而能量密集度更高的GaN芯片可用于制造更小的充电器和适配器。

英飞凌居林工厂技术与研发高级副总裁拉吉·库马尔（Raj Kumar）表示：“与硅基功率解决方案相比，SiC可以在相同尺寸下将功率密度提高一倍，或在一半的尺寸下实现相同的功率。”

英飞凌预计，截至9月的2024财年，SiC相关解决方案的收入至少为6亿欧元。另还称，将额外再投资50亿欧元用于居林工厂的第二期建设，目前，该工厂已经获得了10亿欧元的预付款，和约50亿欧元的客户设计中标承诺。

对能源效率和更高功率输出的需求推动了宽带隙半导体设备在电动汽车、5G基础设施和功率转换器等各领域中的需求。研究公司Gartner的数据显示，预计到2028年，宽带隙设备的市场规模将达到130亿美元，2023至2028年间的年均复合增长率（CAGR）为29.9%。

然而有行业高管表示，功率解决方案中的SiC芯片价格仍然比硅基解决方案高出三到四倍。这种材料易碎且难以处理，需要在2,000摄氏度的高温下以单一工艺生产。业界最先进的SiC芯片才刚刚开始向8英寸基板过渡，而最尖端的处理器芯片已经开始在12英寸的晶圆基板上制造。

英飞凌等公司的扩张计划对马来西亚来说是一个利好消息，在中美贸易紧张局势下，对马来西亚的投资有所增长。2023年，马来西亚投资额突破了历史记录，达3,295亿令吉，与2022年相比增超24%。此外，数据中心作为马来西亚科技行业最热门的领域，同样接收到了不菲的投资。马来西亚投资发展局数据显示，2023年，45%以上的投资都与电气和电子、信息和通信行业有关。

美国咨询公司凯尔尼（Kearney）亚太区运营与绩效联合负责人吉叶（Keat Yap）表示，马来西亚在芯片供应链中的角色日益扩展。该国吸引了大量投资，拥有强大的人才储备、生态系统和政府支持，但半导体投资的竞争仍十分激烈。

“在竞争日益激烈的环境中，马来西亚在全力向目标冲刺的同时，还要抓住新的增长机会，保持竞争优势。”