一、从“给图纸造不出”到“另辟蹊径”：中国光刻技术的逆袭
2018年，ASML高管曾傲慢断言：“即使给中国图纸，他们也造不出光刻机。” 然而，2025年3月25日，中国科学院宣布成功研发全固态深紫外（DUV）激光光源技术，直接瞄准3nm芯片工艺需求。这一突破不仅让ASML的嘲讽沦为笑柄，更标志着中国半导体产业正式向全球技术垄断发起全面挑战。
全球芯片制造的“命门”在于光刻机，而光刻机的核心是光源。ASML的DUV光刻机依赖氟化氙准分子激光技术，通过复杂的气体混合生成193nm波长的紫外光，但其技术被2万多项专利封锁，且能耗高、维护复杂。
中科院的固态DUV光源另辟蹊径：利用Yb:YAG晶体生成1030nm红外激光，通过谐波转换和光学参数放大，最终混合出193nm激光，且体积缩小、能耗降低70%，在不产生有毒气体的情况下，其光谱纯度与ASML相差无几。
二、技术核心：颠覆性创新与短板并存
中科院的全固态DUV光源技术展现了三大优势：
1. 路径颠覆：绕过ASML的专利封锁，从材料到工艺实现完全自主化；
2. 环保节能：无需氟气等危险气体，减少污染和供应链依赖；
3. 性能对标：光谱纯度达到ASML水平，支持3nm工艺需求。
不过，短板同样明显：当前输出功率仅70mW（ASML为100-120瓦），频率6kHz（ASML为8k-9kHz），尚无法满足量产需求。但固态技术的工程优化空间更大——无需处理气体废料、结构简化后，功率提升的瓶颈可能被更快突破。
三、产业冲击波：EUV垄断地位动摇，ASML进退维谷
这一技术突破对中国半导体产业链的自主化意义深远：
1. 3nm工艺冲锋：DUV通过多重曝光可实现7nm甚至3nm工艺，若中国实现量产，将直接削弱EUV光刻机的“不可替代性”；
2. 产业链闭环：国产光刻机的双工件台、物镜系统、光刻胶等配套技术已成熟，光源突破补上了最后一块短板；
3. 成本优势：固态DUV的维护和能耗成本更低，可能以价格战冲击台积电、三星的3nm市场。
ASML的反应印证了威胁的存在。其2024年财报显示，中国大陆贡献了36.1%的营收（101.95亿欧元），但ASML预测在2025年后将中国市场份额压缩至20%以下。
同时，ASML对华政策摇摆不定——一边升级北京维修中心以巩固市场，一边在美国施压下停止部分设备维修服务，甚至限制向华为供应5nm芯片技术。这种矛盾暴露出其对中国技术崛起的焦虑。
四、未来之战：从实验室到量产，中国芯片的“长征”
尽管固态DUV光源技术迈出了关键一步，但距离量产仍面临两大鸿沟：
1. 工程化挑战：功率和频率需提升至少两个数量级，且需与国产光刻机的其他模块（如物镜、对准系统）无缝整合；
2. 全球竞争压力：ASML正加速下一代高数值孔径（High-NA）EUV研发，目标在2030年实现440-600亿欧元营收。
好消息是，中国技术路线的“迂回战术”已初见成效。例如，日本佳能的纳米压印技术（NIL）虽成本低，但缺陷率高；中国激光驱动等离子体（LDP）技术虽在光源功率上落后，却具备绕过掩膜版的灵活性。若全固态DUV能率先突破量产，中国或将成为全球少数同时掌握DUV和LDP两条技术路线的国家。
五、结语：封锁与反向封锁的辩证法
ASML创始人曾称：“光刻机是物理学与资本的结合，缺一不可。”而中国正用举国体制的研发投入和市场规模，改写这一规则。从“图纸造不出”到“另辟蹊径”，中国芯片的逆袭印证了“封锁越严，突破越狠”的历史规律，如今就连ASML都感叹：中方开始关闭EUV的大门了。
当然，我们不提倡盲目的吹捧，这场“芯战”还远未结束，截至目前，ASML的EUV仍是5nm以下工艺的霸主，而国产DUV的突围仅是第一步。未来，中国需要加速技术迭代、构建全球供应链话语权，并在国际标准制定中争夺席位。
你们认为中国芯片技术需要多久才能与国际巨头并驾齐驱？是全固态DUV率先量产，还是LDP后来居上？欢迎在评论区留下你的观点，共同见证“中国芯”的破冰时刻！
中国应该制定或修改法律，规定凡对我国限制出口技术的领域，该国在中国的该领域专利不受保护。你仍然可以申请并获得专利，但是在专利所有者所在国对中国管制该领域技术出口期间，这些领域的专利不受保护。
本来以前中国光刻机就与国外没有代差，就是被这些高呼技术研发不如买的公知和贸工技的投机分子，还有畏惧美帝如虎的投降派院士，整整浪费了三四十年，但是光刻机必将突破，将来中国一定能成为光刻机技术规则的制定者。[点赞][点赞][点赞][点赞]全世界将拭目以待！
两边都是不信邪，西方🐶不信我们一个国家可以冲破一切，我们不信冲破不了
光刻机，工业设计软件，实验室设备，高端医疗器械，精密机床…所有的这些终将被蓝星上最智慧最坚韧最勤劳的我们一一攻克，一切的封锁围堵只会使我们更强大，因为我们的目标是星辰大海[点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞]
看参与供应链外商工程师小道消息，国内DUV和EUV各有两套人马同时开工。报道消息比实际进度晚一年半到两年。哈工大光源是烟幕弹，实际可能会用南方某大学光源，功率高数倍。样机已经做出来一段时间，但bug很多，一直在修正中。
本来以前中国光刻机就与国外没有代差，就是被这些高呼技术研发不如买的公知和贸工技的投机分子，还有畏惧美帝如虎的投降派，整整浪费了三四十年，但是光刻机必将突破，将来中国一定能成为光刻机技术规则的制定者。[点赞][点赞][点赞][点赞]全世界将拭目以待！
光刻机要是不被掐脖子，美帝再也没啥拿的出手的东西限制咱们了
我们是专治西方的技术封锁和傲慢与偏见！
物理极限到了，短时间内得等着我们了
像太空一样，不给我们上去，我们自己上去[呲牙笑]，向研发工作人员致敬[点赞]
文章好，第一次看到对于我国光刻机的事实求是的评价。承认差距，努力进取。
没必要在人家吃饭的家伙与之死磕！小到大头针，复杂到大型客机自己全生产出去，满世界与人家内卷价格，谁都不喜欢你，只会用关税退出组织来排挤你。
感觉差的好远，人家慌什么？
情操需要有但有些事既成事实时候在提建议不晚
深紫外光只适配DUV，不可能做到7nm以下制程工艺。专业点不行吗？
百尺竿头
中科院就应站在突破瓶颈的前沿打破垄断凸显体制优势！
等整套的机器量产后 再开始吹
在公知自研不如外购的谬论忽悠下，中国光刻机、半导体、机床等高端制造领域，终于被外国狂甩几条、几十条街，并被锁喉，梦醒之下，方知所谓公知、砖家，往往就是汉奸卧底。
本来最大难点就是功率！
吹毛线
只要突破就好，bug可以慢慢修复，从0-1，关键是突破[点赞][点赞][点赞][点赞][点赞]
我在想，能不能另辟蹊径，通过其他方式产生波长比193nm短的激光，来实现超越duv接近euv光刻机的工艺？非得193纳米吗？
真的假的啊？
自嗨不好
专治各种不服
等哪天真正独立自主研发出来，再吹这个牛
早晚的事加油吧
[呲牙笑]什么时候，淘宝不再有假ic ？
这消息是真的吗
华人的智慧用来造福中国多好，偏偏跑出去坑祖国，不过祖国有些货也真的是不是东西。
那代所谓自研不如买的投降派陆陆续续死完了就好了 中国是最强的
难得一篇这样的文章，虽然很多看不懂。但是想懂的懂的就够了。
这是要泄密么?原理阐述的那么清楚
是真的吗？
10年20年30年40年50年，只要能专注攻坚舍得给科学家给钱，咱们一定会慢慢进步的。
中科院？就是那个只会发论文的地方？
雕刻机
前年的光刻工厂怎么没信了？不是今年建成吗？有懂行的说说啊？
加油[点赞]独立自主，永远是成功的法宝。
以为能生产了[捂脸哭]
[笑着哭][笑着哭][笑着哭]ai文看不懂吗？大纲，段落，标语。明显得一匹。真不知道你们有什么好争论的。
振奋人心的消息！
说句实话，作为早期电子信息大学毕业生，看了光刻机的工作原理除了佩服还是佩服，感觉不像是人类能做得出来的。
技术封锁从来不是堵，而是疏
又特么吹牛
快点上架，把4090和I10价格打下来啊！！！
几十年前中国的原子弹氢弹在国家很困难时靠人力提笔来计算，很多工序靠人力来做的，经过几年奋斗就搞出来了，所以光刻机只要国家重视而且支持和推动发展肯定能造出来的，毕竟比起当年造原子弹，现在的各种条件都好很多，20年芯片被卡的时候我就说过只要国家重视它，几年肯定能搞出来，那时很多公知或者媚外投降派就冷嘲热讽说什么人家是欧美多国加起来才搞出来的，就大言不惭说中国造光刻机不可能行之类的云云。
好[点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞][点赞]强
套用国足的一句评论：留给皇冠的明珠已经不多了
光刻机全世界量产的只有三家，荷兰阿斯迈尔、日本尼康和佳能。我们公司用的是佳能250纳米的老爷机。
光刻机是一个问题，但华为已经研发出3进制晶体管技术，这才是颠覆行业的技术，理论上是二进制的4倍，现在光刻机技术已经到头了
他们自以为是的美梦过去了。现在中国就是唯一一个符合经典语录的巨人：只要给我一个点，我就可以撬起地球！😊😊我们做到了！[点赞][点赞]
只有神仙造的东西我们中国人制造不出来，是人类制造出来的东西中国人一定会制造出更好更完美的。
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专利有时是个笑话
既然已经公布最关键的光源技术，那“功率提升”，必然已在路上！！[点赞][点赞][点赞][墨镜][墨镜][墨镜]
骗补贴的吹牛逼文章
看看工厂里做精密产品你是国产机器还是进口机器
任何嘲笑世界第一工业国的人，都将被狠狠打脸。
一切坐等官方媒体发布！就像之前传得沸沸扬扬的卖给埃及几十架 歼10CE ！结果官方出来辟谣了！[笑着哭]
可能在特朗普这一任上不会，下一届美国总统一上任，立马面临中国量产五纳米一下的现实，再有下一任，台积电三星全线崩盘，