近几年，美方一直在打压我们的芯片发展，从逻辑芯片到存储芯片，再到AI芯片，从单独限制到拉拢日荷盟友共同限制，且限制范围逐步扩大到设备、材料、软件等。

美方以为只要限制住了这些先进芯片制造必备的物项，就能够彻底阻挠我们发展高端芯片。然而，令美方没有料到的是，国产EUV传出新消息，中芯国际也迎来了机会。

不过，芯片制造需要的设备、材料和软件等的各类繁多，全面禁止不太可能。于是，美方就抓住重点，盯上了芯片制造中必不可少的核心设备，那就是高端EUV光刻机。

目前的传统芯片制造工艺流程，要想制造7nm以下的先进芯片，就必须要用到EUV。

因此，美方只要限制EUV向大陆市场出货，就能阻挠我们发展先进芯片制造。并且EUV光刻机全球只有荷兰ASML一家能够生产，要限制EUV只需要向荷兰施压就可以。

美方也确实是这么做的，其实并不只是近几年实施芯片限制才如此，此前的2018年就已经开始限制EUV对华出货了。当年，中芯国际曾经向ASML订购了一台EUV。

预计2019年底交付，但美方知道后，连续四次向荷兰施压，取消了ASML出货许可。

自那时起，ASML的EUV再也不能向大陆的中企出货。后来，美方再次扩大EUV管制范围，甚至连外企在大陆的晶圆厂也不能购买，韩企SK海力士就曾遇到这个问题。

在当前的芯片制造技术中，光刻机必不可少。因此，美方堵住EUV光刻机，以此来阻挠我们进入7nm以下制程，确实是最好的办法。目前来看，这个限制确实起作用。

自从美方限制了EUV光刻机对华出口后，我们芯片制造技术最先进的中芯国际就无法进入7nm以下制程，随着美方限制扩大到浸润式DUV，就只能进行14nm以上。

因此在美方不断加码芯片限制的这几年，我们扭转发展方向，重点发展成熟制程芯片。

当然，我们自然也不会放弃先进制程芯片发展。在这种极端的情况，也让我们不断地思考，那就是只要我们加速自研，实现国产EUV光刻机，那芯片限制就彻底结束了。

因为我们一旦拥有了EUV光刻机，先进芯片制造就没问题了，这让我们看到了希望。

那就是，加速攻坚国产EUV相关技术，争取尽快实现国产EUV。尽管还需要其它设备的配合，但最难的EUV都能突破，其他就更不是问题了，再说其他都在加速自研。

不过，EUV光刻机的突破可不那么容易，光刻机都是所有芯片设备中难度最高的，EUV又是光刻机中难度最高的，需要解决极紫外光源、双工作台系统和高精度的镜头。

再说，这些核心技术不是被ASML给收购，就是跟ASML绑定使用，我们都不能用。

因此，要想实现国产EUV，就需要我们一个一个攻克核心技术。好消息是，前不久哈工大研发出了“放电等离子体极紫外光刻光源”，能提供波长13.5nm的极紫外光。

这样的话，EUV光刻机最难的光源问题就基本解决了。重点是，哈工大研发的这个方案能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低，相比之下似乎更有优势。

当然有了EUV光源，还有其他核心技术要攻克，不过离国产EUV时间越来越近了。

据相关消息显示，国产EUV用不了几年了。一旦我们推出了国产EUV，那么中芯国际就迎来了机会，因为先进制造技术研发并没停止，梁孟松在静待EUV光刻机到来。

对于以上情况，并不只是笔者的臆想，而查阅了相关资料，有些东西不能明说，也不能透露。近日，新加坡某知名管理公司表示，大陆的中芯国际未来有望赶上台积电。

并且还对美媒彭博社表示，尽管大陆目前确实无法获得ASML的EUV，但他们在努力攻克国产EUV，一旦研发出来，那么芯片战就会结束，美方芯片限制也没意义了。