随着中美博弈进一步演变，国防七子也展现出了强大的科研实力，攻克了各类受到“卡脖子”的核心技术，为中国科技发展做出了巨大贡献。

哈工大更是硕果累累，联合中科院掌握了国产EUV光刻机的三大核心技术，而同为国防七子之一的西工大，如今也传来“S级”突破，拜登始料未及，外媒：更可怕的还在后面！

众所周知，哈工大在半导体领域的研发贡献非常可观，尤其是国产EUV光刻机研发的工程上，将促使我国芯片技术踏入先进制程，摆脱被美技术封锁的局面。

当然了，同为国防七子之一，西工大也有着不俗的表现，这所高校里的“空天微纳系统创新团队”、“苏海军团队”等，各个教授带领着均取得了可观的突破。

尤其是近两年里的“鸿鹄eVTOL飞行器项目”、“光动无人机项目”、“共晶高熵合金项目”等，得益于人才和团队的通力合作，陆续出现不错的成果。

更重要的是西工大还曾多次受到境外黑客攻击，对方试图通过木马程序的钓鱼邮件窃取该高校的核心技术，好在都被西工大的强大网络防火墙挡住。

据我国技术团队的证据显示，对西工大执行网络攻击的是TAO（代号S32），也就是美国NSA信息情报部的下属部门。

显而易见，就连拜登团队都想窃取该高校的技术，单从这一点就可以看到西工大的实力，奠定着这所高校的地位，绝非清华北大能够比较的。

有意思的是西工大再次传来“S级”突破，带领着一项各国致力于研发的技术走上世界领先的水平，再次彰显国防七子的强大之处。

2023年6月份前后，西工大的苏海军教授团队，打造出了一种新型“共晶高熵合金复合材料”（EHEA），与传统技术不同的是得到了SiC陶瓷颗粒和特殊技术加持的增强效果。

据介绍，这种材料抗拉强度约为1.5 GPa，延伸率为9%，放在国际市场上属于是先进水平，即便是研发历程已久的美国，也不过处于这个水平线上。

要知道这种“共晶高熵合金复合材料”（HEA）拥有特殊的变形效果，无论是工业电机、变压器、机床，还是前沿领域的飞机引擎、核聚变设备，都占据着关键地位。

而在苏海军教授团队官宣突破后，时隔两、三个月时间，西工大的王锦程教授团队再次突破，将中国在该领域的技术水平提高到了一个新的层次。

不久前，据王锦程教授团队介绍，新一代的“共晶高熵合金复合材料”（EHEAs）拥有的抗拉强度约为2 GPa，而延伸率提升到了35%，属于是质的飞跃！

放眼目前世界上，各国都尚未达到这个水平，意思就是得益于王锦程教授团队的努力，我国在“共晶高熵合金复合材料”上的技术，已经达到了世界领先水平。

但正如外媒们的评论一样，更可怕的还在后面，中国芯片技术也同样得到突破，并且正在逐渐摆脱对美技术的依赖，达到世界领先水平。

不久前，中企利扬科技正式宣布，我国硅基芯片后道封测技术达到了3nm制程，与全球最先进的日月光半导体处于同一水平。

虽然只是后道封测工序，但这个消息无疑意味着中国芯在自主化的道路上再次向前跨越一大步，得到新的突破。

中芯国际在梁孟松的带领下也研发出了N+1、N+2工艺和多重曝光技术，凭借着DUV光刻机就能够量产7nm工艺芯片。

由此可见，我们完全有理由相信，在哈工大、中科院的国产EUV光刻机项目成功之后，中国芯就可以逐渐摆脱对美进口芯片的“依赖症”！那么大家对此怎么看？欢迎评论区留言！