在集成电路（芯片）历史上，诺伊斯贡献了实用电路，摩尔提出了发展规律。
但他们的想法都离不开一项制造技术-平面工艺。该工艺包括光刻、氧化、刻蚀和热扩散等流程。直到现在，依旧是制造硅集成电路芯片的主要工艺流程。
他的发明者被称为硅晶体管的先驱，也是仙童“八叛逆”成员。
他是发明家、企业家，也是一位慈善家，晚年致力于中亚慈善教育，他就是让·阿梅迪·霍尔尼（Jean Amédée Hoerni）。
一、早年生活，肖克利实验室
1924年，霍尔尼出生于瑞士日内瓦。和很多人一样，霍尔尼从小也是按部就班的学习，中学毕业后，考入了当地的日内瓦大学数学系，1947年获得了学士学位。1950年，获得了物理学博士学位。
毕业后，他又前往了英国，进入剑桥大学学习。两年后，即1952年，获得了第二个物理学博士学位。不久之后，他搬到了美国，在帕萨迪纳的加州理工学院担任化学博士后研究员，也是在那里他遇到了晶体管的发明者之一威廉·肖克利，彼时肖克利在学校任教。
1956年，肖克利为自己新成立的半导体实验室寻找人才，霍尔尼也受邀加入了肖克利的公司，成为了八位核心员工之一（后来的八叛逆包括，摩尔、诺伊斯和罗伯茨等人）。
他们的年龄在26岁和33岁之间，其中六人都拥有博士学位。洛杰克在《半导体工程史》中还将霍尔尼形容为一位经验丰富的科学家和才华横溢的管理者，认为他在智力上与肖克利不相上下。
彼时，肖克利刚获得诺贝尔物理学奖，大家对于未来都充满了希望。
可惜，肖克利虽是一位物理天才，却不是一位好的领导。他性格却十分执拗，不懂如何与下属相处，也不懂公司运营管理。
肖克利拒绝雇用技术人员，认为科学家应该能够处理所有技术流程。因此整个1956年，实验室的大多数成员都在组装和调试设备。不过，霍尔尼与诺伊斯凭借相对丰富的经验，得到了参与应用研究的机会。
晶体管发明者之一肖克利
但是研发并没有想象的那么顺利。据诺伊斯等人后来透露，肖克利带领大家最初计划致力于扩散双极晶体管的大规模生产，但随后肖克利又建立了一个“秘密项目”，并于1957年停止了所有双极晶体管的工作。由于肖克利二极管的工作花费了太多的精力。就这样过了一年，依旧没能研究出可商用的产品。此时，团队的矛盾也越来越大，不断有人计划离开。
1957年初，当时团队中的克莱纳，以前往洛杉矶参加一个展览为由，飞往了纽约寻找投资者，最终在父母的帮助下，得到了纽约大型证券公司海登·斯通的财务经理阿瑟·洛克（Arthur Rock）的支持，并为其引荐了仙童摄影器材公司老板谢尔曼·费尔柴尔德（Sherman Fairchild）。
对于克莱纳的想法，包括霍尔尼和摩尔、罗伯茨等人都非常支持。1957年6月，作为肖克利最忠实的支持者诺伊斯也在最后一刻加入了他们。9月18日，霍尔尼与布兰克、格林尼奇、克莱纳、拉斯特、摩尔、诺伊斯和罗伯茨一起从肖克利实验室辞职，八人帮正式集结。
仙童八叛逆（右二霍尔尼）
二、仙童半导体，平面工艺提出
1957年10月，仙童公司半导体部门成立，计划生产硅晶体管。第二年，1958年，摩尔开发的第一个硅台面晶体管2N697上市，并且获得了来自IBM的100个订单。
虽然硅台面晶体管，在当时是极具创新性的，但可靠性相对较差。1958年，霍尔尼在参加一场电化学学会会议时，来自贝尔实验室的工程师穆罕默德·阿塔拉（Mohamed Atalla）发表了一篇关于热氧化p-n结表面钝化的论文，并演示了二氧化硅对硅表面的钝化作用。
霍尔尼对此很感兴趣，一天早上在思考阿塔拉的装置时，他想到了“平面创意”。利用二氧化硅，对硅表面的钝化作用，制造由二氧化硅层保护的晶体管。（在单个硅晶体片”晶圆”上创建电路单晶硅晶锭）
1959年5月，仙童公司为霍尔尼申请了第一个平面工艺专利，用于“制造半导体器件的方法”。这是一项重大改进，可以更轻松地制造晶体管，且成本更低，性能和可靠性更高。平面工艺的出现，也奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。
同年，诺伊斯以霍尔尼的工作为基础，提出了集成电路概念。他在霍尔尼的基本结构顶部添加了一层金属，以连接位于同一块硅片上的不同组件，例如晶体管、电容器或电阻器。平面工艺为其提供了一种实现集成电路的强大方法。
与诺伊斯一样，德州仪器公司的杰克·基尔比也在这一年研发出了集成电路，但基尔比的集成电路是基于锗的。事实证明，硅IC确实比锗更具优势。“硅谷”的“硅”也是由此而来。
随后，仙童半导体开始将这种技术在产品中实施。
这种平面型制造工艺是在研磨得很平的硅片上，采用一种所谓“光刻”技术(早期版本的光刻工艺，是利用汞蒸气灯发出的近紫外光)来形成半导体电路的元器件，如二极管、三极管、电阻和电容等。只要“光刻”的精度不断提高，元器件的密度也会相应提高，从而具有极大的发展潜力。因此平面工艺被认为是“整个半导体的工业键”，也促使摩尔定律（1956年）的提出。
1960年4月，仙童半导体推出了第一款采用平面工艺技术制作晶体管—2N1613平面晶体管。一经面世，就轰动了全球产业界，成为了这一时期，全球最为先进的半导体工艺技术的代表。2N1613晶体管也成为了第一个大批量商用化生产的平面晶体管。
随着2N1613的成功，仙童半导体向整个行业授予了该设计的许可。平面工艺也使得当时大多数其他晶体管工艺都变得过时，并逐渐被淘汰。其中，飞歌（Philco）的晶体管部门就是受害者之一，该部门耗资了4000万美元新建基于锗PADT工艺晶体管。但在几年之内，所有其他晶体管公司都采用了仙童平面工艺。
1960年，仙童半导体员工数量已经高达1.2万名，年收入也达到1.3亿美元，成为公司最赚钱的部门。
与此同时，公司内部问题也开始出现。1959年，谢尔曼·费尔柴尔德行使了最初创立公司时的权利，将“八叛逆”股份回购。（仙童集团在18个月内投入138万美元，如果公司连续三年净利润超过30万美元，仙童集团有权以300万美元收回股票，或５年后以500万美元收回股票。）
这也导致仙童半导体部门不断受到总部控制。时任总裁约翰·卡特 (John Carter) 甚至把半导体部门的利润用于资助和收购一些无利可图的企业。以诺伊斯为首的半导体部门初创成员不断被排挤。目睹母公司的不公平，“八叛逆”陆续再一次“叛逆”。
三、二次叛逆，助力多家半导体公司成立
1961年，霍尔尼与“叛逆八人组”成员杰伊·拉斯特 (Jay Last) 和谢尔顿·罗伯茨 (Sheldon Roberts) 一起离开了仙童公司，创立了Amelco（Teledyne子公司），专门制造集成电路。
在1963年，他又离开了Teledyne前往联合碳化物电子公司（Union Carbide），领导一个研究小组。后来，霍尔尼还为联合碳化物公司组建了半导体部门。
1967年，霍尔尼回到了欧洲，在瑞士手表公司SSIH资助下成立了Intersil公司，致力于开发数字手表集成电路(IC)。后来，Intersil与日本第二精工社签订了开发合同，成为了低压CMOS集成电路的先驱，这也助力了日本电子手表行业的繁荣。
1988 年，Intersil被Harris Semiconductor（是一家美国国防供应商）收购，并与通用电气、RCA等的半导体部门合并，成为通用电气微电子的核心技术来源之一。
而霍尔尼于1980年就离开了Intersil，他又回到了加州西海岸，并成立了一家名为Telmos 的新创业公司，该公司生产半定制产品，涵盖了传感器与微处理器之间的线性接口、数字逻辑内核，以及高压和大电流的驱动器。
由他参与创立的这些半导体公司，也成为全球半导体发展过程中重要的一部分。由于霍尔尼在半导体领域的贡献，他于1969年获得富兰克林研究所颁发的爱德华·朗斯特雷斯奖章，并于1972年获得IEEE 计算机协会颁发的麦克道尔奖。
四、个人生活，致力中亚慈善教育
霍尔尼的一生有过三次婚姻。第一任妻子是安妮·玛丽·(Anne Marie ) 两人育有三个孩子。第二任妻子为露丝·卡莫纳也以离婚告终。1993年，又与詹妮弗·威尔逊结婚。
除了他的半导体事业之外。霍尔尼还是一位登山狂热爱好者，在工作之余，霍尔尼经常会徒步登山。在去巴基斯坦攀登世界第二高山脉喀喇昆仑期间，霍尔尼遇到了贫苦中挣扎的巴尔蒂人，激发了他的人道主义。
于是他向同为登山爱好者的格雷格·莫滕森（Greg Mortenson）慈善项目提供了最大一笔捐款3万美元，在巴基斯坦偏远村庄科尔菲（Korphe）建造了一所学校。
随后1996年，病危的霍尔尼又以100万美元的捐赠创立了中亚研究所（Central Asia Institute，简称CAI ) ，以便在自己去世后也能继续延续这份事业。
霍尔尼任命格雷格·莫滕森为该组织的第一任执行董事，该组织继续在巴基斯坦和阿富汗建设学校，特别是女孩的教育和扫盲。到2008年时，CAI已在巴基斯坦设立了55所学校，在阿富汗设立了9所学校。并且在这63所学校中，43所是女子学校。
而霍尔尼于中亚研究所成立第二年，1997年1月12日，因白血病在华盛顿州西雅图去世，享年72岁。
不过，在很长的一段时间里，霍尔尼总是被人们所忽视。但无论是在教育慈善还是半导体领域，他都值得被铭记。
时间是最好的证明。在去世12年后，2009年，霍尔尼入选了美国国家发明家名人堂。
平面工艺技术也在牛津《电子与电气工程词典》（A Dictionary of Electronics and Electrical Engineering）中被称为是半导体技术中最重要的单一进步之一。此外，还被评为“20世纪意义最重大的成就之一”。直到现在，依旧是制造半导体晶体管的最有效的方法。
