据韩联社报道，韩国外交部相关人士10月28日透露消息称，一名旅华韩国侨民因为违反《中华人民共和国反间谍法》被中国国安逮捕。我国外交部随后在10月29日证实了这一消息的真实性，外交部表示已经将此事透露给了韩国驻华大使馆，此消息确认之后立刻引起了国内外媒体的广泛关注，因为这是自中国颁布相关反间谍法律之后，十年来首次有韩国公民被捕。

据韩国媒体透露的相关消息称，这位被捕的韩国公民系50多岁的男性公民，被捕前居住在安徽合肥市。据报道该韩国公民之前曾在韩国三星电子芯片部门任职，从2016年来华，便一直在中国的几家芯片大厂工作。根据《朝鲜日报》给出的消息称，这位韩国公民在长鑫储存工作期间，曾向韩国方面泄露了中国芯片相关机密，但该公民却表示自己不具备接触芯片核心技术的权限。

该韩国公民是去年被国安局带走隔离调查的，经过5个多月的调查，最终该男子被检方正式逮捕关押。这基本上证明该韩国公民从事间谍活动的犯罪事实已经调查清楚，并且国安局也已经取得了确凿的证据，不然对于一个涉外人员检方不会轻易批捕，也不会随便对韩驻华大使馆进行通报。

看到这里大家或许会感到十分疑惑，韩国有三星以及SK海力士这样的芯片巨头企业，按道理来说他们的芯片技术要比中国强得多，可为何韩国要派间谍来中国偷窃中国的芯片技术呢？事实上大家所知道的现在看来都是一些老黄历了，虽然之前存储芯片市场是韩国三星以及SK海力士加上美国美光三大巨头垄断市场。但自从中国自研存储芯片之后，三大巨头对于市场的垄断地位就被打破了。

中国长江存储芯片在多个技术领域，已经超越了韩国以及美国最为先进的技术，尤其是在232层堆叠的NAND闪存以及128层NAND flash芯片方面都取得了优秀的成果。而这位韩国公民所工作的长鑫存储芯片技术有限公司，也拥有半导体封装结构的芯片技术专利，长鑫存储的这项专利可以降低存储芯片的温度，同时还能大幅度提升存储新品的性能。

随着中国芯片技术的不断崛起，对于海外进口芯片的依赖变得越来越低，这也就造成了韩国存储芯片行业出口额度的不断下降，这不但给韩国芯片企业造成了巨大的损失，也让韩国在芯片领域的技术领先也几乎消失殆尽，中国存储芯片企业虽然如今还未真正取代大三巨头的市场，但按照如今中国存储芯片的技术积累来看，距离那一天真的不远了！