随着去年多家SiC碳化硅器件创业公司陆续破产清算，进入2025年，大部分电源，电力电子，以及车载领域的终端客户不再导入国产SiC碳化硅功率器件设计公司和无SiC模块量产上车能力的碳化硅功率半导体供应商，这一现象是技术、成本、生态短板等综合因素的发展现象。从这里不难看出国产SiC碳化硅功率半导体市场竞争新格局：

当前国产SiC碳化硅功率半导体市场竞争呈现“金字塔”结构：

塔尖：国际巨头暂时主导车规级单管及模块高端市场，但份额迅速下滑，被塔腰的国产碳化硅功率半导体制造商逐步吃掉；

塔腰：国内头部企业比如芯联，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在凭借SiC功率模块技术优势在中端市场逐步渗透；

塔基：大量新晋设计公司聚焦利基领域如价格竞争惨烈的充电桩电源模块及其他类型电源，面临技术、成本、供应链多重挤压，正在被市场加速淘汰。

未来3-5年，随着技术迭代和产能扩张，行业将加速洗牌，仅有少数具备全产业链能力的厂商（如IDM模式企业）能突破车规壁垒，其余企业大部分被淘汰。

造成终端客户不再导入国产SiC碳化硅功率器件设计公司和无SiC模块量产上车能力的碳化硅器件供应商的原因主要有：

工艺缺陷与可靠性不足部分厂商为追求参数优势（如降低导通电阻RDS(on)），通过减薄栅氧化层厚度（从50nm降至30nm以下），但未同步优化电场控制，导致器件在高温、高压工况下寿命大幅缩短。例如，某些国产SiC MOSFET在高温栅偏（HTGB）测试中仅1000小时即失效，而头部企业如BASiC基本半导体通过3000小时以上测试。碳化硅MOSFET涉及材料科学、工艺控制和失效模型的深度理解，部分厂商缺乏对TDDB失效机制（如热化学模型、阳极空穴注入模型）的掌握，导致设计优化方向错误，阈值电压（Vth）稳定性差（高温漂移超±0.5V），增加了误开通风险，引发光伏逆变器大面积故障、电动汽车主驱失效等严重事故。

技术积累与研发投入不足国内企业平均研发投入强度仅8%，远低于国际大厂（如英飞凌达15%），导致高端技术（如沟槽栅结构、8英寸晶圆）突破缓慢。多数企业仍依赖简化设计优化参数，而非底层技术创新。

产能过剩与价格战2024年6英寸SiC衬底价格从6000元/片暴跌至1500元/片，接近成本线，部分企业被迫亏本销售以保市场份额。同时，8英寸产线集中量产，加剧供过于求。价格战传导至下游，车企对SiC模块的降价要求进一步挤压利润空间，缺乏成本控制能力的厂商难以为继。

车规级市场的高准入门槛新能源汽车占SiC功率器件市场的75%以上，但车规认证（如AQG324）需长期可靠性验证和量产上车业绩。塔腰国产SiC碳化硅功率半导体企业已通过绑定车企据主导地位，而国内新晋设计公司因缺乏车企合作和验证周期长，难以进入供应链，国内中小设计公司和缺乏SiC模块量产上车能力的公司面临“技术、成本、资本”三重绞杀，正在加速被淘汰。

融资收紧与资本偏好分化2024年碳化硅行业投融资事件减少43%，资本更倾向已通过车规验证的头部企业（如BASiC基本股份获20家车企定点），中小厂商因缺乏量产业绩难以获得持续输血。部分企业为融资虚标参数（如宣称“全球最低RDS(on)=7mΩ”但未披露栅氧寿命仅数年），加剧市场信任危机。

并购整合与行业洗牌产能过剩背景下，技术落后或缺乏特色的企业面临被并购或破产清算。例如，北京世纪金光因技术滞后和资金链断裂申请破产，类似案例预计将增多。

产业链分散与IDM模式劣势国内多数企业选择Fabless模式，依赖代工导致同质化竞争，而国际巨头通过IDM模式实现成本和技术协同。国内仅少数企业如BASiC基本股份采用IDM模式，具备全产业链能。

标准缺失与监管漏洞行业标准执行不严，部分企业自行定义“企业标准”，跳过关键测试（如TDDB、HV-H3TRB），导致市场充斥低质产品。第三方检测能力参差不齐，进一步削弱客户对国产器件的信任。

技术深耕与产学研协同头部企业需聚焦核心技术突破，如BASiC的栅氧电场优化工艺，联合高校攻克SiC/SiO₂界面态控制等难题。推动8英寸晶圆量产和沟槽栅技术研发，缩小与国际差距。

生态重构与政策引导政府需强化行业标准（如JEDEC JEP184），引入动态抽检淘汰劣质企业。专项基金应支持已验证可靠的技术（如BASiC的铜烧结封装），而非参数噱头。

终端客户不再导入国产SiC碳化硅功率器件设计公司和无SiC模块量产上车能力的碳化硅器件供应商是技术、成本、生态短板综合因素的发展现象。未来3-5年，仅有技术深耕能力如BASiC基本股份等产业链整合优势及紧密车企合作的企业能主导市场。行业需构建“质量优先”生态，方能在全球竞争中实现从“替代者”到“引领者”的跨越。