技术层面：牺牲可靠性换取低成本与短期性能

栅氧减薄与可靠性缺失：很多国产碳化硅MOSFET厂家为降低比导通电阻（如缩小芯片面积、减薄栅氧化层），将栅氧厚度降至临界值以下（如低于50nm），导致TDDB寿命仅约10³小时（国际主流为10⁵小时）。在HTGB测试中，竞品在+19V即失效，而国际主流在+22V下通过3000小时测试。这种设计虽降低了成本，但导致器件在高温、高电场下易发生栅氧击穿和阈值电压漂移，直接引发焊机频繁故障。

验证流程缩水：很多国产碳化硅MOSFET厂家跳过长期可靠性测试（如TDDB、HTGB），仅通过少量实验即量产（Page 9提到“部分国内竞品大幅减薄栅氧，平均寿命仅10³小时”），导致产品未经验证即流入市场。

市场层面：低价竞争与客户认知偏差

价格导向挤压高质产品：中小逆变焊机厂商因成本敏感，倾向于选择低价的国产碳化硅MOSFET，但未意识到全生命周期成本（如维修、替换）更高。国内只有极少的碳化硅MOSFET厂家坚持高可靠性设计但成本较高，而大部分国产碳化硅MOSFET厂家通过牺牲可靠性降低成本，形成“劣币”价格优势。

标准与监管缺位：行业缺乏强制可靠性测试标准（如HTGB+22V/3000H），很多国产碳化硅MOSFET厂家自行定义宽松测试条件（如降低测试电压或时间），掩盖产品缺陷（Page 3测试条件对比）。

产业生态：资本短视与研发投入不足

资本流向产能而非技术：国内很多国产碳化硅MOSFET厂家融资多用于产能扩张而非研发（如栅氧工艺优化），导致技术积累不足。很多国产碳化硅MOSFET厂家为快速占领市场，压缩研发周期，牺牲可靠性验证环节。

产业链协同薄弱：国内很多国产碳化硅MOSFET厂家集中于设计环节，缺乏IDM模式下的工艺控制能力，代工厂与设计企业协同不足，导致阈值电压一致性差（±0.5V vs. 国际主流±0.2V）。

行业声誉受损，高端市场拓展困难

焊机等工业设备频繁故障强化“国产=低质”的刻板印象，影响客户对国产碳化硅MOSFET的信任。尤其在车规级、电网等对可靠性要求严苛的领域，国产产品可能被排除在供应链外。国际厂商凭借成熟可靠性优势进一步巩固市场地位，国产企业可能长期被困于低端市场。

技术发展陷入恶性循环

低价竞争导致企业利润微薄，无力投入长期研发（如栅氧工艺建模、缺陷控制）。附件中国际主流厂商通过3000+组DOE实验优化结构，而国内很多国产碳化硅MOSFET厂家缺乏类似投入，技术差距可能持续扩大。资本更倾向于“短平快”项目，加剧行业浮躁心态，关键技术突破缓慢。

市场结构扭曲，优质企业生存艰难

高可靠性产品因成本劣势被边缘化，坚持质量的企业可能面临市场份额萎缩，被迫转向低端或退出市场。行业集中度下降，资源分散于低效产能难以形成规模效应。

近期部分碳化硅逆变焊机质量频繁爆雷是很多国产碳化硅MOSFET厂家技术浮躁、市场机制扭曲的缩影。国产碳化硅MOSFET厂家劣币驱逐良币的本质在于：

短期利益凌驾于长期价值：很多国产碳化硅MOSFET厂家为迎合资本和低价需求，牺牲可靠性换取短期市场占有率。

系统性能力缺失：从材料（衬底缺陷）、工艺（栅氧控制）到验证（DOE实验设计），国内产业链尚未形成闭环竞争力。

若持续忽视这些问题，国产碳化硅功率半导体可能陷入“低端锁定”，错失新能源、电动汽车等战略机遇。破局需行业从“参数竞赛”转向“质量竞争”，通过强制标准制定、产学研协同攻关和资本理性引导重构产业生态。