导读：外媒：二维芯片“无极”开始逆天改命了？

在科技竞争的浪潮中，半导体领域一直是各国角力的关键战场。近年来，老美对我国的科技打压不断升级，芯片禁令、光刻机限制等手段层出不穷，试图遏制我国半导体产业的发展。然而，中国科技界并未因此而屈服，反而激发了自主研发的决心与斗志。近日，复旦大学、绍芯实验室周鹏/包文中团队成功研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”，这一重大突破如同一束强光，照亮了国产芯片逆袭的道路。外媒也纷纷表示：二维芯片“无极”开始逆天改命了？

“无极”微处理器的诞生，是我国在新一代芯片材料研制领域占据先发优势的有力证明。它基于单层二硫化钼（MoS₂）二维半导体材料打造，这一创新之举打破了传统芯片材料依赖的局限。与传统的三维半导体材料相比，二维半导体材料具有独特的优势，如更高的电子迁移率、更低的功耗等。更重要的是，“无极”不依赖于先进的EUV光刻机，采用自主研发的特色集成工艺，实现了从材料、架构到流片的全链条自主研发。这一全链条的突破，意味着我国在芯片制造的核心环节上掌握了自主权，不再受制于外部技术和设备的限制。

此次突破创造了全球二维芯片的最大工程性规模验证纪录，首次实现了5900个晶体管的集成度。晶体管集成度的提升，直接关系到芯片的性能和功能。更高的集成度意味着芯片能够在更小的面积上实现更强大的计算能力，为各种电子设备的高效运行提供了保障。这一成果不仅展示了我国科研团队的技术实力，也为未来芯片技术的发展奠定了坚实的基础。

除了材料和工艺上的突破，“无极”微处理器依托开源简化指令集计算架构（RISC-V），这也是其一大亮点。RISC-V作为主流三大指令集架构之一，以其开源、开放的特点在全球范围内受到了高度关注。开源模式打破了传统芯片架构的封闭性，降低了研发门槛，吸引了全球众多科研机构和企业的参与。我国也在资金上大力扶持RISC-V研发，助力其商用落地。在2025玄铁RISC-V生态大会上，中国工程院院士倪光南指出，开源模式有助于RISC-V构建一个包容、协同创新的全球化生态，成为芯片产业变革的新引擎。我国在RISC-V架构上的积极参与和贡献，将进一步提升我国在全球芯片产业中的话语权。

“无极”微处理器的问世，对于国产芯片产业的发展具有深远的战略意义。它为我国芯片产业提供了新的发展路径和技术支撑，有助于推动我国芯片产业向高端化、自主化方向发展。在老美的打压下，我国芯片产业面临着巨大的挑战，但也迎来了难得的发展机遇。“无极”的成功研制，让我们看到了国产芯片突破技术封锁、实现自主创新的希望。

然而，我们也要清醒地认识到，芯片产业的发展是一个长期而复杂的过程，不可能一蹴而就。虽然“无极”取得了重大突破，但在芯片制造的工艺精度、良品率等方面，我国与世界先进水平仍存在一定差距。未来，我们需要继续加大研发投入，培养更多的专业人才，加强产学研合作，不断完善芯片产业链。

“无极”微处理器的问世是我国芯片产业发展史上的一个重要里程碑。它让我们看到了国产芯片逆天改命曙光，也让我们更加坚定了自主研发的信心。在科技竞争的道路上，我们将继续砥砺前行，不断突破技术瓶颈，为实现国产芯片的崛起而努力奋斗。相信在不久的将来，国产芯片必将在全球市场上绽放出更加耀眼的光芒。