虽然佳能有什么NIL纳米压印机，据称可以制造5nm甚至5nm以下的芯片。

但不用怀疑，目前大规模制造芯片，还得是光刻技术，NIL这种产能大不起来，且也没有被业界大规模使用，至于其它的什么DSA技术，BLE电子束技术等，还都是理论。

所以，目前光刻机依然是所有芯片设备中，最关键的设备之一。

也正因为如此，所以美国限制ASML自由的将光刻机卖给我们，EUV肯定是不准卖的，连浸润式DUV光刻机，也做了限制，先进的不准卖，只能卖一些相对落后一点的给我们。

美国的目的很简单，卡住了光刻机，就基本卡住了芯片制造技术了。

在这样的情况之下，我们只有自研，才能避免被卡脖子了，一旦研发不出先进的光刻机，那么芯片制造技术，就无法突破。

那么问题来了，我们国产光刻机，到哪一步了？其实说起来也并不需要悲观，因为我们离EUV光刻机，只差两步的距离了。

下面是光刻机的发展路线，目前最先进的就是EUV，属于第6代，可以用于7nm以下芯片的制造。

我们目前拥有的是ArF光刻机，之前已量产的是上海微电子的90nm精度的光刻机，但那已经是几年前的产品了。

前段时间，国内又曝光了一台新的光刻机，是氟化氩光刻机，采用的是193nm的波长，分辨率小于等于65nm，而套刻精度小于等于8nm。

这台光刻机，大家一看便知，对应的已经是最顶级的ArF光刻机了，再往前一步，就是浸润式DUV光刻机，也就是ArFi光刻机了。

因为这两种光刻机，采用的光源是一样的，工作台也是一样的，区别就是在晶圆上，有一套浸润式系统，也就是加了一层水作为介质。

而ArFi之后，就是EUV光刻机了，采用的是13.5nm波长的光刻机，这个难度系数就大很多了。

但不可否认的是，我们确实离EUV光刻机，已经只有2步了，一步是浸润式DUV，并且这一步估计很快就会跨过，因为其它技术都实现了，只差浸润式系统了。

跨过这一步，就要研发EUV了，这一步相对难一点，但我们肯定也能够攻克的，一旦攻克了EUV，那么所有芯片禁令，在我们面前都成为废纸了。