近期，多个6英寸产线获得最新进展，涉及第三代半导体材料碳化硅、氧化镓。 昕感科技顺利完成晶圆厂首批投片 9月21日消息，昕感科技官方表示已顺利完成晶圆厂首批投片。 公开资料显示，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产，其江阴晶圆厂于2023年8月土建开工，2024年8月设备正式Move-in。 另据新华网江苏频道消息，昕感科技6英寸功率半导体制造项目总投资20亿元，产品可广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、5G通信等领域，满载后年产能将达100万片。 今年6月行业消息显示，昕感科技第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户无锡锡东新城。锡东新城消息显示，此次签约的项目总投资超10亿元，主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线，可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产，实现满产产能约129万只/年，产值超15亿元/年。 国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工！ 9月12日，据杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）官微消息，富加镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。氧化镓凭借其性能与成本优势，有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料，近年来热度不断上涨，频频传出各类利好消息。 公开资料显示，富加镓业成立于2019年12月，致力于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。 据称，富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司，开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线。 投资4.32亿元，这座6英寸碳化硅器件厂落成 9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布，公司此前投资51亿卢比（约合4.32亿人民币）在印度奥里萨邦建设的碳化硅半导体制造工厂已正式落成。 资料显示，RIR是美国Silicon Power Group在印度的子公司，企业主要从事电力电子元件的生产。RIR的产品组合包括低功率至高功率器件和IGBT模块，涵盖工业、电力、铁路、可再生能源和国防等领域。 据悉，2023年7月，Silicon Power Group宣布在印度奥里萨邦建立一个碳化硅工厂，该工厂将用于生产6英寸碳化硅晶圆。投资通过该集团的印度子公司RIR进行。2023年10月，RIR获得奥里萨邦政府的批准，投资51.08亿印度卢比，在奥里萨邦建设这座碳化硅器件制造和封装工厂。工厂预计将于2025年全面投入运营。 值的一提的是，除了RIR，今年6月，总部位于印度钦奈的SiCSem Private Limited宣布，计划也在印度奥里萨邦建立一座涵盖碳化硅（SiC）制造、组装、测试和封装（ATMP）工厂。 6月15日，SiCSem与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校（IIT-BBS）就化合物半导体领域研究事宜签署了合作协议。根据协议，双方之间首个项目是在IIT-BBS实现SiC晶体生长的本土化。这一项目专注于6英寸和8英寸SiC晶圆的大批量生产，预估耗资4.5亿卢比（折合人民币约3800万元）。