韩国存储器业巨头SK海力士正引领半导体领域迈向新的技术高峰。有消息透露，该公司正在探索全新GPU设计方式，计划将逻辑芯片与高带宽记忆体（HBM）进行堆叠，这一创新举措有望为行业带来巨大变革。与英伟达等半导体公司展开合作的同时，SK海力士还计划委托台积电作为首选代工厂，共同探索这一革命性的封装技术。
消息指出，SK海力士正致力于HBM4的研发，该技术的目标是将HBM4直接放置在英伟达、AMD等公司的GPU芯片上。传统的HBM技术通常通过中间层连接，并放置在GPU旁边，而SK海力士的新目标是通过3D堆叠，完全消除中间层，将HBM4直接整合在GPU芯片上。这种设计与AMD V-Cache相似，但规模更为庞大，将GPU所有内存直接放置在GPU顶部或几个芯片的顶部。
这一技术的引入有望彻底改变半导体和代工产业的格局，虽然实现可能需要一段时间。韩国中央日报指出，这种技术可能在未来10年内成为现实，最终可能使记忆体芯片和逻辑芯片的区分变得毫无意义。
然而，这一设计的优势与挑战并存。优势在于可以缩小封装尺寸、提高性能，但与此同时，散热问题成为亟需解决的难题。与采用V-Cache的AMD CPU相似，这种新技术可能导致GPU需要调整TDP和时钟频率，以应对由于直接在GPU顶部堆叠内存而产生的额外热量。特别是像英伟达H100这样的数据中心GPU，需要大容量的HBM，这在容量和热量方面与V-Cache相比是极具挑战性的。
SK海力士计划于2026年推出HBM4，而另一大半导体巨头三星也在进行类似项目的研发，有望与SK海力士展开激烈竞争。英伟达、AMD、苹果公司等行业领导者对这些设计的订单将成为未来的争夺焦点，也将决定这一技术革新是否能够在市场上获得成功。
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