作为整体内存供应商，韩国三星电子引领全球市场，但在快速增长的 HBM 领域面临来自 SK 海力士的竞争，因为它仍然无法提供最新的 HBM3E 芯片来满足 Nvidia 的需求。根据一些报道，三星将需要对这些芯片的设计进行更改，这将需要长达六个月的时间。
图片来源：三星电子
据 ZDNet 称，三星不仅在生产 HBM3E 内存堆栈的基本芯片方面存在问题，而且在生产构成它的 DRAM 芯片方面也存在问题。事实是，该公司最初的目标是使用 1α 技术，使用 EUV 光刻技术进行多层加工。最终，这本应使存储芯片更便宜，但三星未能在其生产中达到一致的质量水平。美光和 SK 海力士更倾向于坚持更成熟的 1β 工艺，后者仅限于使用 EUV 加工的单层芯片。以三星为例，这个数字达到了 5，这在生产过程中会产生问题。
如前所述，现在三星正在讨论更改其构成 HBM3E 堆栈的 DRAM 芯片设计的可能性，以提高可用产品的水平。如果对制造过程进行这些更改，则可能需要长达六个月的时间才能实施，三星要到明年第二季度才能开始发货符合 Nvidia 标准的 HBM3E。消息人士顺便报道，英伟达代表参观了生产 8 层 HBM3E 堆栈的三星工厂，根据检查结果，结果证明它们在速度上不如 SK 海力士和美光特性相似的产品，最高可达 10%。
