中国在高端EUV光刻机光源领域取得了重大突破，中国科学院上海光学精密机械研究所宣布，其某个科研团队研发的固体脉冲激光驱动等离子体极紫外光源“LPP-EUV”，实现3.42%的能量转换效率，这一数据不仅超越荷兰、瑞士等国际团队，更标志着中国在EUV光源领域突破性进展。

传统EUV光刻机采用二氧化碳激光器驱动锡靶产生等离子体，进而发射13.5nm极紫外光。ASML设备虽能实现5%以上的转换效率，但其二氧化碳激光系统体积庞大、电光转换效率不足5%，且核心技术被美国Cymer公司垄断。上海光机所林楠团队另辟蹊径，采用1μm波长固体脉冲激光器作为驱动源，在实验室平台实现3.42%的转换效率，达到商用光源5.5%标准的一半。

固体激光器体积仅为二氧化碳激光器的1/10，电光转换效率高达20%，且波长1μm更易被锡靶吸收。研究团队估算，其理论最大转换效率可达6%，若实现商业化，可将EUV光刻机功耗降低90%，彻底打破现有技术体系的成本结构。

中国科研团队正以“三线并进”策略展开。LPP路线对标ASML，上海微电子通过优化锡靶轰击技术，将光源收集效率提升至15%，解决ASML耗时15年攻克的镜面污染难题。DPP路线弯道超车，哈工大研发的放电等离子体技术，能量转换效率达4.5%，是ASML方案的2.25倍，设备体积缩小40%。FEL路线未来布局。上海同步辐射加速器，研发出直径28米的小型化自由电子激光装置，输出功率达250W。

尽管3.42%的转换效率尚未达到商用标准，但其技术路径已获产业界认可。当光源效率突破4%时，固体激光驱动系统即可支撑EUV曝光验证和掩模检查。华为反射式物镜专利采用多层膜自适应补偿技术，将波前畸变控制在λ/50以内，解决柯勒照明均匀性难题，为光源系统与光学系统的协同突破奠定基础。

ASML首席财务官戴厚杰在投资者电话会议中承认：“中国确实有可能制造出EUV光源。当中国团队用固体激光技术绕过美国Cymer公司的专利壁垒时，ASML不得不调整战略。从全面禁售转向提议在华设立维修中心，试图以服务换市场。

当中国自主高端EUV光刻机横空问世之时，西方围堵我们的最后一堵围墙将瞬间崩塌。