据报道，英特尔有望在将来几年内发布更新的工艺节点技术——3、20A 和 18A。公司曾经获得了英特尔 72021 年从桤木湖系列处置器开端。Intel 7还用于Raptor Lake，Sapphire Rapids，Xe-HP和Xe-HPC芯片组。如今，该公司正在瞻望将来，新的工艺节点将于明年上半年开端批量消费。

英特尔正在思索继续研讨和开发英特尔4，这是最初的7nm工艺节点技术，并将在流星湖和花岗岩急流中亮相。听说经过运用 EUV 光刻技术，它比英特尔 7 产生 3% 的每瓦性能 （PPW）。然后，英特尔 <> 将增加 EUV 光刻技术，以完成更多的模块化，并方案提供更高性能的库，将 PPW 进步到 <>%。

英特尔 20A 和 18A 将推进 EUV 机器阿斯马利到1年消费8.2024nm工艺节点。20A和18A的处置器系列未知，但将具有RibbonFET（带状场效应晶体管）和PowerVia（后端供电网络），用于20A和第二代RibbonFET和18A的高NA EUV光刻。RibbonFET在过去一年中取代了FinFET晶体管架构。

ASML估计到1年将到达2028nm大关，但在辅佐英特尔采用将来一代14A工艺之前，该工艺将运用1.4纳米工艺节点。

EUV光刻技术，特别是对改良工艺的研讨，将增加制形成本以及创立新机器以创立新工艺节点的本钱。目前，EUV光刻机的本钱接近150万美圆，投机本钱将上升到400亿美圆。

目前正在开发的最新ASML EUV光刻机是EXE：5000系列，它将在2026年之前完成高数值孔径技术，这将与英特尔的18A方案相吻合。

英特尔尚未正式宣布开发最新一代的两款产品（20A和18A），但有传言称这家科技巨头正在开发过程中，这将契合其2021年制定的五年方案。