12月20日消息，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机路线图，目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的标准13.5nm波长。因此，新技术无法与现有EUV 基础设施相容，需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上时间。

值得一提的是，由于华为Mate70新机的曝光，导致华为Mate60价格持续走低。据百度报道，华为Mate60在“拍易得官网”最新一期的活动中成交价仅137元，创下了该机上市以来的价格新低。

该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo 领导，目标是制造出性能具竞争力且具成本优势的光刻机。具体来说，俄罗斯将采用11.2nm的氙（xenon）基镭射光源，取代ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。Chkhalo 表示，11.2nm的波长能将分辨率提升约20%，不仅可以简化设计并降低光学元件的成本，还能呈现更精细的细节。此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。

俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 设备的37%，主要因为其光源功率仅3.6 千瓦，但也足以应付小规模芯片生产需求。

尽管11.2nm波长仍属于极端紫外线光（EUV）谱范畴，但这并非单纯的小幅调整。因为所有光学元件包括反射镜、涂层、光罩设计以及光阻剂，都需要针对新的波长进行特别设计与优化。因此，镭射光源、光阻化学、污染控制及其他支援技术也须重新设计，才能确保在11.2nm波长下的有效运作。