“光刻机”被称之为传统芯片制造的工业母机，因为它必不可少，同时光刻机的好坏，精度，决定了芯片的精度、良率等等。

不过大家也清楚，光刻机目前全球只有4家厂商能够生产，分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子，ASML是荷兰企业，尼康、佳能是日本企业，而上海微电子是中国企业。

如上图所示，这是4大厂商的光刻机精度。其中用于7nm及以下芯片制造的EUV光刻机，只有ASML能够生产。

而尼康能搞定高端的7-28nm的AiF+浸润式光刻机，但佳能、上海微电子却还停留在90nm，只能生产低端的光刻机。

不过也有人称，光刻机所指的精度，并不是指能制造芯片的精度，光刻机可以通过多次曝光，提升分辨率的，那么问题就来了，上海微电子的90nm光刻机，最多能生产多少纳米的芯片？

据资料显示，目前上海微电子的90nm的光刻机，主要用于电源管理芯片、LCD驱动芯片、WiFI芯片、射频芯片、各类数模混合电路等。

而在精度方面，90nm肯定没问题的，同时经过两次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。

那么能不能四次曝光，五次曝光，将精度提升上去？事实上，在实际使用中，2次曝光就已经很厉害了，像ASML等的光刻机 ，大多也只是进行2次曝光。

因为实践表示，3次曝光会导致良率大幅度下降，4、5次良率可能会低到没法想象，晶圆厂们的成本高到没法承受，不如买一台更高级光刻机，成本还低一些。

所以，目前国内在努力的研发28nm的光刻机，这样经过两次曝光后，可以搞定14nm，至于7nm工艺，那最好还是期待EUV光刻机，用28nm的来曝光三次，良率没法看。

不过，在整个半导体产业链，流传说一句话，那就是“靠山山倒，靠人人跑，只有自己最可靠”。

所以像光刻机这种东西，只有掌握在我们自己手中，才能避免受制于人，虽然EUV光刻机非常难，但也不得不去攻克。