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科研人员不断深耕半导体产业，至今已经探索出三代成熟的半导体材料，其中应用最广泛，技术最成熟的当属第一代半导体材料硅。市面上大部分的芯片都是硅基芯片，工艺制程可达3nm。但硅基芯片已经暴露出性能提升，成本增大的弊端。

而换道出发，寻找新的材料路径成为科研人员的目标，好消息是在石墨烯半导体方面天津大学立大功！“中国芯”提升1000%，拜登不愿看到的情况出现。

硅基芯片是现代电子技术的核心组成部分，应用非常广泛。在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等个人电子产品中随处可见，因为硅基芯片的存在，让人类科技迅速腾飞。

但硅基芯片的弊端越来越明显，随着芯片尺寸的缩小，硅基芯片面临着物理限制，如量子效应、电子迁移率等问题，影响了芯片的稳定性和性能。还有新一代芯片的推出需要大量的研发投入和技术突破，对制造工艺和设计能力提出了要求。

芯片制程越往下，突破难度越大，成本也不断增加。而探索新的芯片材料和路径显得至关重要了，天津大学便是探索大军中的一员，而取得的成果令人瞩目。

据悉，天津大学主导的研究团队在石墨烯半导体方面取得重大突破，该研究团队使用特殊熔炉将石墨烯生长在碳化硅晶片上，制备了外延石墨烯，即生长在碳化硅晶体表面的单层石墨烯。

这是世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体，和硅基芯片相比，石墨烯半导体所代表的“中国芯”芯片速度提升了1000倍。天津大学立大功，石墨烯半导体的现世为中国芯片的发展添砖加瓦。

需要知道的是，石墨烯是一种单层碳原子构成的材料，具有出色的导电性能和机械强度，被认为是未来替代硅的理想材料，这项研究为石墨烯半导体的应用开辟了新的可能性，有望在未来改变电子器件的发展方向。

拜登不愿看到的情况出现，石墨烯是一种具有巨大潜力的材料，其研究和应用在全球范围内都备受关注。

中国研究团队在制造出石墨烯半导体方面的突破是一个重要的科学成就，中国迈出了重要一步，积累了相关成就，那么美国在芯片领域的封锁就很容易被撕开一个口子，甚至在将来的石墨烯半导体竞争中落入下风。

这是拜登不愿看到的情况，可不论拜登如何限制，都不会改变中国自研的决心。

当然，石墨烯半导体道阻且长，要将石墨烯半导体材料实际应用于工业化还需要很长时间，所幸中国科研人员已经在努力解决石墨烯半导体材料在更大尺寸碳化硅衬底上的生长问题，期待能传来更多的好消息。

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