IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，我们先来了解一下IGBT的基本工作原理和应用特点。

1. IGBT的工作原理：

IGBT是一种晶体管结构，由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）控制Bipolar双极晶体管的开关动作。IGBT主要由三个部分组成：

- N型沟道区：这是由P型衬底中的N型外延层和沟道形成的区域，负责导电。

- P型沟道区：这是由N型衬底中的P型外延层和沟道形成的区域，负责隔离。

- P型饱和区：这是由P型衬底和P型外延层组成的区域，负责电流的放大。

IGBT的工作原理可以简单描述如下：当控制输入信号施加在IGBT的栅极上时，栅极和源极之间的电压会控制沟道区的电阻以及P型饱和区的电压，从而控制电流的流动。当栅极电压为正时，沟道区将导通；而当栅极电压为负时，沟道区将截断。IGBT主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。总之一句话：工作原理：是通过控制输入的电压和电流，来整流调节输出电压和电流的大小和方向，具有高效、节能、可靠等优点。

IGBT核心生产制造工艺：

2. IGBT芯片：

IGBT芯片是指IGBT器件的核心部分，它包含了N型沟道区、P型沟道区和P型饱和区。IGBT芯片通过栅极控制电流的导通和截断，负责实现功率开关功能。

3. IGBT单管：

IGBT单管通常指的是只包含一个IGBT芯片的器件，它是最基本的IGBT封装形式。IGBT单管通过封装，将芯片的引脚和外部电路相连，以实现对电流的控制和耐压功能。

4. IGBT模块：

其中在互联与焊接材料上一定要注意，关系到模块的寿命与可靠性；

5. IGBT器件：

我们再来看看怎么测量：

静态测量法：是用万用表测量集电极（C）与发射极(E)之间的二级管特性。

动态测量法：是给栅极(G)一个导通电压，来测量集电极（C）与发射极（E）之间的导通状态。