按照光刻机的类型，生产65nm芯片的光刻机叫做干式DUV光刻机，也称之为ArF光刻机。

生产45-7nm的光刻机，叫做浸润式DUV光刻机，也称之为ArFi光刻机。

这两者光源一样，都是采用193nm波长光源，工作台一样，物镜系统也一样，唯一不同之处是干式DUV光刻机，以空气为介质。而浸润式光刻机，在晶圆前加了一层水为介质，193nm波长的光线，进入水后折射，等效于134nm波长光线。

因为光线的波长小，分辨率就高了，所以浸润式光刻机，可以用于最小7nm工艺的芯片，这是干式DUV办不到的。

目前国内的技术，还处于干式DUV光刻机的水平，具体表现如何，应该不用我介绍了，前段时间，网上不是大谈特谈这款氟化氩光刻机么，分辨率小于等于65nm，套刻精度小于等于8nm。

其实它就是一台干式DUV光刻机，所以能生产多少纳米的芯片，我也不多说了，懂的都懂。

基于此，很多人表示，接下来我们的目标是研发浸润式DUV光刻机出来，毕竟路是一步一步走的，但我却认为，我们接下来的真正目标，不是研发浸润式DUV光刻机，而是跨过它，直接研发EUV光刻机。

估计很多人会骂我了，那就是走路都走不稳，就想开始跑了。但实际上，还真不是这样的，这个理论不用套在光刻机上。

EUV光刻机和浸润式DUV光刻机，并没有先后逻辑关系，也不是替进式的，一代一代发展这么来说的。

DUV光刻机，和EUV光刻机，真正最大的不同之处是，一个是采用EUV光源，也就是波长是13.5nm的光线，一个是采用193nm波长的光线。

浸润式是在晶圆前加了一层水来折射193nm波长的光线，EUV是直接采用13.5nm的光线。

其它的工作台，物镜系统等，其实原理等，都是差不太多的，只是分辨率更高了，精度也更高了，仅此而已。

并不是说没研发出浸润式DUV，就研发不出EUV的，完全可以直接跨进EUV光刻机的，只要解决掉了EUV光线的产生、收集即可，这一块是重点、难点。

因为ASML将这一块的上下游供应链都整合了，中国想要研发出EUV，必须找到替代ASML供应链的方案，这个非常难。

另外，目前国内拥有的浸润式DUV光刻机，其实是非常多的了，从2021年开始，根据ASML的财报数据，我们买到的浸润式DUV光刻机，就超过了150台。

150台有多大的产能，其实是相当于几十个中芯国际的总产能了，所以浸润式DUV光刻机是足够用的，且目前ASML也没有完全卡死，我们能够买的。

在这样的情况之下，研发EUV光刻机才是关键，研发不研发浸润式DUV，相对而言其实并不那么重要了，你觉得呢？