任正非曾表示，我们不是设计不出世界顶级的芯片，只不过是国内没有企业能够造出来罢了。正如任正非所言，我们拥有华为海思等一大批优秀的芯片设计企业，中芯国际也掌握着世界一流的芯片制造工艺技术，但由于美国的阻挠，国内企业无法购进制造高端芯片的EUV光刻机，直接导致了国产芯片的落后，让美国多了一个打压华为等国内科技企业的“武器”。

今年8月份，华为麒麟9000S芯片横空出世，媲美高通骁龙8芯片的性能，标志着我国已有能力制造出7nm芯片，有效地缓解了国内企业因美国芯片封锁所带来的发展压力。华为Mate 60系列成为一款“现象级”产品后，出现了一种奇怪的声音，“7nm芯片只要优化做得好，性能绝对不输于3nm、5nm芯片”。对半导体有一定了解的朋友都知道，这种言论只不过是自欺欺人罢了。

芯片的空间是有限的，若想提升芯片的性能，就必须在有限的晶体管的密度，而芯片制造工艺直接决定着芯片晶体管的密度，同样大小的一款硅片上，3nm芯片的晶体管密度是7nm芯片的几百倍，性能也不知道甩了7nm芯片几条街。所以，提升芯片制造工艺，对中芯国际等国内半导体企业来说，是非常急迫的一件事情。然而，让所有人没想到的是，在我们刚刚能够量产疑似7nm芯片之后，ASML公司传来了一个相当“炸裂”的消息。

据外媒报道，ASML公司将在明年推出2nm EUV光刻机，产能为10台。值得一提的是，仅英特尔一家就拿走了6台2nm EUV光刻机。近年来，美国一直在努力推动本土芯片制造产业的发展，妄图摆脱对台积电、三星的依赖，而英特尔被寄予了厚望。如今，英特尔拿到6台2nm EUV光刻机，很有可能实现对台积电、三星的超越，实现美国高端芯片制造的本土化，降低被卡脖子的风险。

以美国一贯的尿性来看，ASML公司制造的2nm EUV光刻机将在未来数年内无法进入大陆市场，国产芯片整体水平与美西方芯片的差距将进一步拉大，进而影响国内科技企业的市场竞争力，我们当下要做的，就是在巩固成熟工艺的同时，要努力攻克光刻机等卡脖子设备，彻底打破美西方的芯片封锁。

美国封锁华为芯片之初，国家不仅斥巨资打造了“芯片大学”、“东方芯港”等半导体基础设施，还出台了大量优惠政策扶持半导体相关企业的发展。在国家的号召下，大量企业跑步进入半导体领域，在2020年初到202年底这两年时间里，我国新增半导体企业超过了10万家，掀起了发展“中国芯”的浪潮，可是，很多企业存在“骗补贴”的嫌疑。

据相关数据显示，仅2023年一年，我国消失的半导体企业达到了惊人的1.09万家，其中大部分是刚成立没多久的企业。火速成立，光速倒闭，很难让人不怀疑这些企业成立的真实目的，那就是骗取相关补贴，严重影响了“中国芯”的发展，这些蛀虫，真的很可恨！“中国芯”的崛起，只能依靠华为、中芯国际等这些干实事的企业了，希望它们能够顺利突破核心技术，打破美西方的芯片神话！