石墨烯薄膜一般指通过cvd法制备的单层的石墨烯，因为是单层，所以强度、导电率和透明度都比较好。

那么，高质量石墨烯薄膜-实验用石墨烯薄膜是如何制备的?

CVD生长石墨烯主要包括两个路径：

一是“直接生长”，催化裂解出来的碳原子直接在催化剂表面成核、进而生长成石墨烯薄膜；

二是“迂回生长”，催化裂解的表面碳原子渗透进入体相溶解后，再在表面析出，成核生长形成石墨烯薄膜。两个平行生长路径的贡献，取决于金属催化剂的溶碳能力、金属碳化物的生成及其在生长温度下的化学稳定性。

CVD法制备石墨烯的基本过程是：

把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到金属箔片上的石墨烯。下图为石墨烯的制备过程。

衬底是生长石墨烯的重要条件，微晶科技目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8～10个过渡金属（如Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不锈钢）。过渡金属在石墨烯的CVD生长过程中既作为生长基底，也起催化作用。