SK海力士12层HBM4，先行一步！

韩国半导体巨头SK海力士在3月19日宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。

12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的无与伦比的速度、以及基于12层标准的最高容量，行业评价其为“技术奇迹”。它每秒可以处理超过2TB的数据，相当于在一秒钟内处理400多部全高清电影的数据，比上一代HBM3E快了60%以上，这种惊人的速度是通过将数据传输走线从1,024条增加到2,048条来实现的。

此外，SK海力士12层HBM4的最新进展还标志着该公司与台积电结盟后的首个成果。目前，台积电能够生产控制HBM4底部数据移动的基模。

SK海力士社长兼首席营销官Kim Joo-sun强调了坚持创新的承诺，称“我们一直在克服技术限制，以满足客户的需求。”

SK海力士从第三代产品HBM2E开始便采用先进的MR-MUF工艺，在该产品实现36GB容量方面发挥了关键作用。该工艺到目前还提高了散热和产品稳定性，解决了大容量存储器生产的技术挑战。

自其2022年推出HBM3（第四代）以来，SK海力士在HBM市场的领先地位一直没有动摇。后来又于2024年成功量产第五代HBM3E的8层和12层产品。

此外，SK海力士此次还表示，该公司计划在今年下半年完成12层HBM4批量生产的准备工作。

应主要客户英伟达首席执行官黄仁勋的要求，12层HBM4的生产计划比原计划提前了6个月，这突显出市场对尖端存储技术的需求日益增长。

SK海力士和英伟达稳定的合作关系也证明了人工智能和高性能计算技术的进步推动了需求的增长。由于英伟达在GPU和人工智能技术领域处于领先地位，投产的加速反映了业界对支持尖端应用的更快，更高效的内存解决方案的推动。

SK海力士自2013年推出第一代HBM产品以来，一直在HBM领域保持领先地位。目前公司已经成功研发并量产了第四代HBM产品“HBM3”，并在2021年成为世界上首家开发出HBM3的公司。

根据SK海力士发布的财报，其在2024财年实现了营收和利润的历史性突破，全年营收达到66.19万亿韩元，同比增长102%；营业利润和净利润分别为23.46万亿韩元和19.8万亿韩元。而在这其中，HBM贡献不少，在2024年贡献了DRAM销售额的40%以上。

SK海力士预期2025年HBM营收预计翻倍增长，HBM3E 12Hi 产品推进顺利，预计 2025 年上半年 12Hi 比特量超过 8Hi，并在2025 年完成HBM4 12Hi开发并实现量产，为未来市场竞争奠定技术基础。

日前有报道称，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

反观竞争对手三星这边，HBM3E此前一直未能获得英伟达品质认证，而最新消息则是三星新HBM3E在日前英伟达的审核中获得令人满意的评分，预计最快6月初通过英伟达等的品质认证。

近日，摩根士丹利分析师修正了对韩国存储芯片巨头SK海力士的投资评级，将此前持有的"减持"评级上调为"持股观望"。

该机构坦诚去年9月的评级下调存在误判，因自那时起，市场对SK海力士在高端存储芯片领域的竞争力预期显著升温，推动公司股价逆势上扬18%，而同期全球人工智能相关股票因中国DeepSeekAI模型引发的技术成本重估普遍承压。

肖恩·金团队在研报中指出："我们曾预判存储芯片行业将重演周期性衰退，且SK海力士在2025年面临的高带宽内存(HBM)市场竞争会加剧，但实际情况远超预期。"分析师团队为此修正预测模型，将目标价大幅调高53%至23万韩元，主要基于两大支撑：现货市场有利的定价环境显现行业周期拐点，以及公司在HBM领域长期市场份额的稳固带来的可持续高回报率。

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