瑞萨电子宣布针对第二代DDR5多重存取双列直插模组(Multi-Capacity Rank Dual In-Line Memory Modules, MRDIMM)，提供业界首款完整的存储器介面芯片组解决方案。

新款DDR5 MRDIMM需要跟上AI、高效能运算(HPC)和其他数据中心应用中不断提高的存储频宽需求。

速度高达每秒12,800百万传输(MT/s)，与第一代相比，频宽提高了1.35倍。

瑞萨与CPU和存储供应商等业者以及终端客户合作，在新款MRDIMM的设计、开发和部署方面发挥了重要作用。

瑞萨设计并更新了三个新的关键元件：RRG50120第二代多工暂存时脉驱动器(MRCD)、RRG51020第二代多工资料缓冲器(MDB)和RRG53220第二代电源管理IC(PMIC)。

瑞萨提供量产的温度感测器(TS)和串列存在检测(SPD)集线器解决方案，成为目前唯一可以为下一代产业标准MRDIMM提供完整芯片组解决方案的存储器介面公司，也支持其他各种服务器和客户端DIMM。

由于人工智能和高效能运算应用的发展，对高效能系统的需求是很强烈的。

瑞萨提供的技术知识和生产能力可满足前所未有的需求。

瑞萨的RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，以缓冲命令地址(CA)汇流排、芯片选择以及主机控制器和DRAM之间的时脉。

与第一代元件相比，功耗降低了45%，而这正是超高速系统中针对热管理的关键规格。

RRG51020第二代MDB是MRDIMM中使用的另一个关键元件，用于将资料从主机CPU缓冲到DRAM。

瑞萨新MRCD和MDB均支持最高12.8 Gbps的速度。

此外，瑞萨的RRG53220下一代PMIC提供业界最佳的电气过应力保护和卓越的电源效率，并针对大电流和低电压运作进行了最佳化。

瑞萨目前已提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的样品，新产品预计2025年上半年量产。