SK海力士的HBM4芯片，将采用3纳米制程，使用台积电技术，预定明年下半年供货给Nvidia。

SK海力士原本打算以5纳米制程生产定制化的HBM4，但主要客户要求供应更先进的存储器，SK海力士因而改用3纳米制程，预计2025年下半年出货。

目前英伟达的GPU产品是以4纳米HBM芯片为基础。

SK海力士据传在3月发布的HBM4芯片原型，是在3纳米基础裸晶（base die）上垂直堆叠。

相较于5纳米裸晶，堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，效能将可提高20%-30%。

但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，将采用台积电的12纳米制程。

SK海力士生产的第五代HBM产品HBM3E为使用自己工厂的基础裸晶，HBM4则决定采用台积电技术。

HBM4采用3纳米基础裸晶，将进一步拉大领先三星电子的差距，三星计划用4纳米制程生产HBM4。

SK海力士已掌握全球约一半的HBM市场，多数HBM均销往英伟达。