在全球科技竞争日益激烈的今天，芯片制造的技术水平成为衡量一个国家科技实力的重要标志。而在芯片制造的诸多技术中，光刻技术无疑是最核心的部分，其中光刻机更是关键设备。
当前，全球最先进的光刻技术已经进入EUV（极紫外光刻）时代，但这项技术却被牢牢掌握在少数国家手中。对中国来说，研发国产EUV光刻机已经成为突破美国芯片禁令的关键。
为什么光刻机如此重要？
光刻机是芯片制造的核心设备，通过光学成像技术将电路图案精确刻印在晶圆上。随着芯片制程技术不断向更小尺寸迈进（如7nm、5nm甚至3nm），对光刻机的要求也越来越高。
目前，全球光刻机市场几乎被荷兰的ASML、日本的尼康和佳能三家公司垄断，其中ASML占据约85%的市场份额，其EUV光刻机更是独步全球。
而中国大陆的光刻机技术发展相对滞后，目前的国产光刻机大多用于封装测试等后道工序，前道制造领域仍有巨大差距。以国内光刻机龙头企业上海微电子为例，其公开发布的设备技术水平还停留在90nm制程，与全球最先进的5nm乃至3nm制程技术相去甚远。
美国的技术封锁有多严？
近年来，美国联合日本、荷兰对中国实施了严格的光刻机出口限制，禁止EUV光刻机和高端浸润式DUV光刻机进入中国。这一禁令的核心目标是阻止中国芯片制造业在先进制程上的突破。
近期，美国更是加大了制裁力度，针对140家中国企业、24种设备、3种关键软件以及HBM内存实施全面封锁。这些措施不仅限制了中国获取先进光刻机的可能性，也对相关上下游产业链造成了严重影响。
国产EUV光刻机研发刻不容缓
行此严苛的封锁，唯有自力更生才能破局。国产EUV光刻机的研发，不仅关系到中国芯片制造能力的提升，更是国家科技独立自主的象征。EUV光刻机的出现，使芯片制造技术迈入了一个全新阶段。EUV光刻利用波长仅为13.5nm的极紫外光源，使得芯片电路图案的精度远超传统的DUV（深紫外光刻）。掌握EUV光刻机技术，意味着可以实现5nm及以下制程芯片的批量生产，而不再依赖国外设备。虽然国内在光刻机领域仍有很大差距，但一些值得关注的进展正在发生。近日曝光的一台国产光刻机，其光源波长为193nm，分辨率达到了65nm以内，套刻精度也在8nm以内。虽然这台设备仍属于DUV光刻机，并且尚未达到浸润式光刻的水平，但它标志着国产技术迈出了关键一步。
