自2019年开始，以美方为首的国外势力对我国半导体产业进行打压。打压之下，我国半导体厂商无法获得EUV光刻机，甚至连先进的DUV光刻机也无法购买。

除此之外，以华为为首的国产芯片厂商自研的芯片也无人代工，这也让我国芯片发展进程陷入停滞。一时之间，国内很多网友都非常担心，认为我国芯片发展将会止步不前。即便有所进步，也只是被国外“卡脖子”前行。

按照当下的芯片发展方向，这种担忧是有一定道理的。因为我国无法生产先进的光刻机系统，从国外采购的光刻机也只能大规模量产28nm芯片，小规模量产14nm芯片。至于很多年前的7nm芯片，我国半导体厂商也无法量产销售。

不难发现，在芯片工艺上，我国确实存在“卡脖子”的情况。没有国外先进半导体设备的辅助下，我国半导体产业发展也有停滞不前的风险。那么“中国芯”该如何破局呢？我认为华为给我们找到了一个方向。

去年8月底，华为正式开售华为mate60系列机型，这款手机搭载了华为自研自产的麒麟9000S芯片。

而到了今年6月，华为开售了华为puea70系列机型，这款手机搭载了华为最新款的麒麟9010芯片。

对于麒麟9000S芯片、麒麟9010芯片的讨论，国内媒体、国外机构就没有停止过。究其原因还是华为并没有公布这两款手机的工艺、架构等参数。

为此，国内评测机构、国外实验室对麒麟9000S、麒麟9010进行研究，发现这两款芯片采用了纯国产技术，工艺介于7nm—14nm之间。

虽然这两款芯片的工艺还没有在7nm以下，但这两款芯片的性能输出却媲美5nm的骁龙870、4nm的骁龙8Gen1芯片。

由此可见，芯片工艺、半导体设备的的先进与否并不是决定芯片性能的唯一标准。所以“中国芯”的发展方向是变道超车，而是换道超车。在换道超车的情况下，让14nm、7nm芯片也有5nm、3nm的性能。

正如华为高管张平安讲的那样:我们得不到5nm、3nm，搞定7nm就很好了。我们的创新方向不能在单点的芯片工艺上，应该在系统架构上。

华为高管的这番话也很好理解，因为我们无法获得EUV光刻机，先进的DUV光刻机也限制购买。即便我们在工艺制程上实现突破，我们也无法生产5nm、3nm芯片。

不过我们已有的光刻机系统可以量产14nm芯片，并且我们7nm芯片技术也有很大的进步，未来实现7nm芯片量产也不是不可能。这也是张平安说的“搞定7nm就很好了”的缘故。

既然创新方向不能在单点的工艺制程上，那么创新方向应该在哪里呢？那就是系统架构和材料了。

前面我们提到麒麟9000S、麒麟9010的性能媲美5nm、4nm芯片，这就是因为华为在系统架构、应用材料上的创新。

系统架构、应用材料该如何创新呢？我们可以采用最先进的3D、立体晶体管架构，可以使用层叠、立体封装、堆叠的新兴封装技术，可以使用碳基、光电取代硅基打造芯片。

从架构系统、封装技术、应用材料三个方面换道，那么我们就可以让14nm、7nm芯片有着不输于5nm、3nm芯片的性能。

希望国内多一些华为这样的芯片公司，只有这样的公司多了，我国才能形成更完善、更强大的供应链，这样才能实现“中国芯”的崛起！