硼扩：从目前的硼扩掺杂技术来分，主要有：低压的管式扩散、旋涂硼源扩散、常压管式扩散、离子注入+退火。

1、TOPCon 成本降低的降本潜力。

回复：TOPCon成本下降的潜力很大，随着电池制程表现的不断提高，非硅成本必然会降低；另外，银浆的耗量以及成本的下降空间也很大；投资额低导致整个设备的折旧成本也低；

另外，我司的硼扩、LPCVD等关键设备也已经实现了国产化，设备上也是致力于大产能低运营成本，有利于推动TOPCon技术的降本工作。

2、目前业内有哪几家在用此技术，是否是嫁接在现有产线上还是全新产线？效果如何？

回复：业内主要有中来、天合等，基本上都是全新线。另外，据了解，很多企业，新上PERC产线都都预留了TOPCon升级空间，目前的效率能够达到23.5-23.8%左右，良率也基本在93%-94%左右。

另外，据了解，很多企业，新上PERC产线都都预留了TOPCon升级空间，目前的效率能够达到23.3-23.5%左右，良率也基本在93%-94%左右。

3、除了N型硅片，TOPCon还需要何种新材料？供应前景如何？

回复：TOPCon技术，N 型和P型都可以做，基本不需要新的材料，其与PERC的材料没有明显差异，整体材料的供应没有问题。

4、不同沉积方式的差别（LPCVD PEALD APECVDMAIA）

回复：主要还是LPCVD和PECVD的差异。从目前来看的话，LPCVD的成膜质量更好，而且其产能大，维护比较方便；

PECVD虽然沉积速度快，但是可能出现爆膜以及造成粉尘的产生。

5、集成原位掺杂与单独磷注入的差别？

回复：原位掺杂因为磷烷抑制了非晶硅的成膜速率，会导致其均匀性变差。另外它要兼容均匀性和方阻，所以控制会比较难；

而用本征来做磷扩，兼容性会比较好，也容易控制。

6、PERC升级TOPCon工艺路线的设备成本

回复：这个要看实际状况，相信大家都能理解，一般GW级别目前大概在5-6千万左右，仅供参考；

7、生产运行中SIO2的厚度如何检测？

回复：生产运行中，二氧化硅的厚度是很难检测的，其实我们也不建议在生产过程中做二氧化硅的检测，可以从其他工序的监控反应出来，比如从方阻就可以看出来。

8、LPCVD方式的优点、均匀性情况？

回复：LPCVD的优点:产能大,易于维护,是一个比较成熟的设备；而均匀性目前可以做到433这样水平。

9、TOPCon对浆料的要求？

回复：要求较高，从去年的整体情况看，浆料对于整体电性能提升作用很大，当然也意味着较大的降本空间。

10、绕镀的宽度对绕镀清洗的影响，绕镀清洗的难点有哪些？目前的绕镀清洗方式有哪些？

回复：绕镀的宽度对于绕镀的清洗难易有关，宽度越大，清洗越困难，比如会导致清洗不均匀、外观不良或者EL不良。

目前主要的绕镀去除方式是酸刻和碱刻。

11、正面氧化铝钝化之前是否还有必要增加热氧？

回复：个人认为不需要增加热氧，目前来看氧化铝的本身钝化的效果就比较好。

12、正面氧化铝是否可以用其他钝化膜代替？

回复：正面氧化铝可以用其他的钝化膜来代替，但是目前氧化铝的本身钝化效果就比较好，另外其工艺也比较成熟，成本也比较低。

13、对于TOPCon而言，PECVD方式氧化铝和ALD方式氧化铝有什么差异？

回复：TOPCon在绒面的钝化是在正面进行，在绒面上进行钝化，PECVD的生长速率快，可能会导致钝化效果略差于ALD。

14、TOPCon产线设备投资相对于PERC比较优势的临界点在哪里（转化率优势达到多少，设备投资额差距多少）。预计这个临界点出现在什么时候？

回复：个人认为，关键临界点就在眼前，因为目前PERC的效率基本已经到极限，而TOPCon在市场上已经有GW级别的量产，整体的运行状况也较好，效率可以做到23.3-23.5%，良率也基本超过90%，运营成本也在不断降低中。

15、N-TOPCon现在的实际良率和量产效率怎么样？现在国内规模大概多少呢？另外，贵公司针对P-TOPCon方面有和国内外企业做过研究测试吗？大体情况如何？

回复：N-TOPCon我司实际量产效率在23.5-23.8，国内的规模约4-5GW， P-TOPCon已经有一些研究机构已经做出来了，效率也比较高。P型TOPCon和N型TOPCon只是电池路线差异，我司的设备均可以使用。

16、目前新建1GW的TOPCon产线，大约多少亿？

回复：大概2.5亿左右吧。最终要看各家配置。

17、新的TOPCon产线是否兼容166和210尺寸的电池？

回复：我司的设备是可以实现全尺寸兼容。

18、未来两三年N型硅片的主流尺寸和片厚会是怎样？

回复：目前只能说大尺寸肯定是未来的趋势。

19、PL技术在TOPCon中的应用

回复：PL是在TOPCon的一个标配，对于效率异常的排查，对于效率的提升都是非常有帮助的。

1、制结指的是？原因：制结是扩散制作PN结，其过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。

2、脏片是怎样造成的？原因：前清洗下料端、扩散上下料端员工手套脏污或PVC手套破裂，有汗液沾到硅片。

3、麻点怎样造成的？原因：环境中粉尘较多，硅片清洗后放置时间过长；碱槽结晶盐过多，喷淋被堵；手套脏污；出料口滚轮脏污。

4、油污是怎样造成的？原因：来料问题；药液问题，一般怀疑是碱槽冷凝管破裂， 造成碱槽污染。

5、过刻是怎样造成的？原因：排风不稳定；翻液；循环流量过大；气泡炸裂，一般是液位太低，引流管内存在气泡；滚轮不平。

6、黑边是怎样造成的？原因：HNO3、H2SO4含量高，溶液张力大，硅片边缘反应剧烈。

7、药残是怎样造成的？原因：后清洗酸槽或碱槽浓度异常，导致酸液或碱液残留。

8、蓝斑是怎样造成的？原因：机器叠片，硅片表面酸、水残留，经过扩散后被氧化成蓝色。

9、多孔硅是怎样造成的？原因：碱槽浓度低，多孔硅没有被完全清洗干净。

10、滚轮印是怎样造成的？原因：硅片上有药液残留或者是其他 玷污；ACD处滚轮脏污。

11、PECVD后硅片表面有白色斑点或斑块是怎样造成的？原因：扩散隔离不严，将蓝色点、麻点片流到PE；后清洗酸碱槽浓度存在问题，导致药残；PSG未去除干净；碱槽结晶盐或碎片挡住喷淋口。

12、为什么进入车间之前要进行风淋？原因：生产电池片对车间内部空气洁净度要求高，为避免员工进出带入微尘污染，故而需对员工进行风淋，一般风淋时间在10-20秒之间。

13、为什么要穿戴无尘服，口罩及手套？原因：防止车间污染，保持良好洁净度便于电池片高效生产。

14、清洗机台为什么要换药？原因：药液使用到一定程度，药性下降不利于正常生产，工艺制程会有问题。

15、一般多久换一次药？原因：根据生产片数换药，制绒30万片就要换药，刻蚀在80-100万换药。

16、为什么清洗机台内部都是塑料结构没有金属呢？原因：金属会与机台内药液反应，使得金属离子导入，污染电池片。

17、清洗机台的滚轮为什么不能用酒精擦拭？原因：酒精会附着在滚轮上，留下残留，对片子生产时容易形成污染。

18、清洗机台酸泡槽时为什么要先加水后加药？原因：先加药会导致酸剧烈反应发出浓酸气体，对周围的空气造成污染，周围员工也会造成伤害，故先加一定量的谁可以稀释酸，使其不易会发出气体。

19、上下料机皮带为什么不能擦拭？原因：皮带一般用气枪吹扫灰尘，手动擦拭会使皮带在外力下受到应力，是皮带微变形，电池片会有皮带印不良产生。

20、为什么要控制电池片各工序放置时间（Q-time）？原因：Q-time时间过长会对电池工艺制程造成影响，一般清洗后放置过久，丝网出电性能会变差。

21、为什么要换滤芯？原因：药液里长时间累积的杂质都在滤芯里，滤芯的过滤功能下降，液体流量会减小，换新的滤芯保证机台运行稳定。

22、清洗机台复机为啥要跑假片？原因：跑假片使得药液活性增强，使得药液更加均匀。

23、测试方阻的监控片是怎幺选的？原因：测试前方阻，找到相差1以内的片子，这样的片子监控的方阻数值偏差小，适合做监控片。

24、复机跑的假片为什么要扩散？原因：扩散使得硅片中发生如下反应：4POCL3+5O2=2P2O5+6CL2

25、车间为什么要测洁净度？原因：电池片生产为无尘车间，要控制洁净度达到高效生产，需要定时测量，确保电池质量。

26、刻蚀机上料段为什么要对电池片喷水膜？原因：水膜覆盖片子正面，保护电池片正面在经过酸槽刻蚀时不被酸气破坏，保护正面完好。

27、为什么测试亲水？原因：电池组件要求过PID测试，亲水的好坏直接关系到抗PID效果。测试亲水监控电池片后期抗的PID效果。

28、刻蚀工序为什么测试绝缘电阻？原因：绝缘电阻可以看出硅片背刻是否合格，避免背刻不良导致在丝网出现漏电，造成不良。

29、什么是半导体pn结？原因：在一块半导体晶体内，P型和n型紧接在一起时，将它们交界处称为pn结。

30、丝网印刷速度对印刷效果有影响吗？原因：印刷速度提高，会使浆料对网孔的填充效果变差。使印刷的平整性变差，容易造成葫芦状栅线。在一定范围内，印刷速度提高，可以使栅线高度上升，宽度变小。

31、浆料黏度对印刷效果的影响？原因：浆料的黏度如果太小，会导致印刷的图形易扩大。产生气泡，毛边；浆料的黏度如果太大，会导致透墨性差，会产生橘皮，小孔。在许可范围内，浆料的黏度越小越好。

32、丝网压力与间距的关系？原因：压力越大，间距越大。因为压力大时，刮刀与网版接触的地方凸出来的也越多。间距小的话，硅片承受的压力会变大，容易造成碎片。两个参数不能多带带改变，否则会影响印刷质量和增大碎片率。

33、烧结过程中，各温区的作用？原因：室温~300℃：溶剂的挥发。300℃~500℃，有机树脂排出，需要氧气。400℃以上，玻璃软化。600℃以上，玻璃与减反层反应，实现导电。

34、铝珠是怎么出现的？原因：如果是印刷过厚，就调整参数，降低板间距，提高印刷压力；如果是绒面过大，提醒制绒改善工艺；如果是浆料不匹配，就改善浆料。

35、出现铝包怎么处理？原因：如果是印刷厚度偏薄，就调整参数，提高板间距，降低印刷压力；如果是印刷不均匀，就查看网板和刮条是否有磨损，提醒生产更换，如果都没问题，就是绒面问题，提醒制绒工艺。

36、出现翘曲片怎么处理？原因：如果是印刷过厚，调整参数，提高板间距，降低压力；如果是硅片太薄，更换抗弯曲浆料；如果是刮刀没装好，提醒生产重新安装；如果是硅片厚度不均，就是原料问题。

37、出现节点怎么办？原因：如果是网板或刮刀不良，提醒生产更换；如果是参数设置不合理，调整参数，降低压力。

38、出现虚印和断栅怎么办？原因：如果是参数不合理，就调整参数，提高压力，降低板间距。如果是网孔堵了，擦拭网板；如果是印刷头在行进过程中抖动，与设备协商解决；如果是网板或刮刀磨损或者是浆料不够，就提醒生产人员更换或者添加浆料。

39、丝网温度对测试机有哪些影响？原因：随温度的增加，效率η下降。ISC对温度T很敏感，温度还对VOC起主要作用。

40、制绒所说的电阻率对电池的影响？原因：在一定范围内，电池的开路电压随着硅基体电阻率的下降而增加，材料电阻率较低时，能得到较高的开路电压，短路电流则略低，总的转换效率较高。所以，地面应用倾向于０.５～３.０Wｃｍ的材料。太低的电阻率。反而使开路电压降低，并且导致填充因子下降。

41、为什么停机1小时以上，要将刻蚀槽的药液排到tank？原因：长时间不生产，药液在槽体内会挥发，将药液排到tank，减少药液的挥发，不至于对复机后生产造成影响。

42、后清洗机台掉片怎么处理？原因：掉片需要返工处理，一般将掉片多带带收集，集中处理进行返工操作。

43、SPC收取监控片时为什么用镊子?原因：由于手拿片子对测试反射率，减重，膜厚，折射率等会对片子表明造成影响，一般采用镊子夹取片子，减少不必要的误差。

44、清洗生产员工怎样手动收片？原因：后清洗出来的片子不允许用手摸片子的表面。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套，避免PECVD后出现脏片。

45、生产流程单是做什么用的？原因：流程单记录电池片经过各个工序的时间及各工序的工艺情况，便于在生产过程中出现问题后可以及时找到，并及时处理，减少风险。

46、各工序的不良品为什么分开放置？原因：对于膜前不良和膜后不良品分开放置返工时减少劳动量，也可以做到对工艺的管控。

47、碎片是怎么处理的？原因：碎片可以回收加工，经过处理后可以熔炉后铸锭再制作成电池片。

48、员工为什么不能裸手碰片子？原因：手指接触片子的地方会留下手指印，在电池片外观或是EL图片中都可以看到，造成良率的降低。