铠侠将在2024年IEEE国际电子器件会议 (IEDM) 上展示三个项目，该会议12月7日在美国旧金山举行。

当前的计算系统有DRAM，它是CPU高速处理数据的主存储器，还有闪存，它存储大量数据。

为了以更高的速度处理大量数据，单片机（SCM）正在研发内存方面也取得了进展，内存是 DRAM和闪存之间的中间层，称为存储级内存。

在本次IEDM上，将展示三个存储新技术：

(1) 降低功耗的使用氧化物半导体的DRAM技术，

(2) 适合增加容量的MRAM技术，

(3) 3D闪存技术采用新结构，可实现更高的位密度和更高的性能。

1、使用氧化物半导体的DRAM技术（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM）

通过这项技术，改进了制造工艺，制造出有利于高集成度的垂直晶体管。

此外，通过发挥使用氧化物半导体的晶体管的特性，实现了极低的漏电流。

这有可能降低各种应用的功耗，例如人工智能和后5G信息和通信系统中使用的配备大规模主存储器的服务器和物联网产品。

该开发成果是与台湾南亚科技有限公司共同开发而获得的。

2、大容量交叉点MRAM技术

该技术采用结合适合大容量的选择器和磁隧道结的单元技术以及交叉点阵列微加工技术，实现了20.5纳米MRAM有史以来最小的单元半间距读写 。

此外，随着单元变得更小，还存在存储器可靠性降低的问题，但我们提出了解决该问题的方法，即使用一种新的读出方法，该方法利用选择器的瞬态响应并减少读出电路的寄生电容 。

我们将继续将这项技术开发到人工智能和大数据处理的实际应用中。

这一开发成果是通过与韩国公司SK海力士联合开发而取得的。

3、采用水平单元堆叠结构的下一代3D闪存技术

利用这项技术，我们开发了一种新的三维结构，其中NAND单元水平排列并堆叠，这与NAND单元垂直排列的传统结构不同。

在传统结构中，增加堆叠层数会导致NAND单元性能变低，但该结构有望抑制NAND单元性能降低并提高可靠性。

通过使用这种结构，可以以低成本实现具有高位密度和可靠性的3D闪存。