2024年，碳化硅（SiC）衬底价格将出现前所未有的下跌，标志着功率半导体材料领域的重大转变。在经历了一段时间的持续高需求和供应紧张之后，市场现在正面临供应过剩的问题。

据了解，主流6英寸SiC晶圆衬底的市场价格已在2023年第四季度暴跌至400~450美元，较之前的水平大幅下降，而500美元通常被认为是生产成本水平。行业分析师将此暴跌归因于供应过剩和市场竞争加剧。

报道称，一线中国供应商为抢占市场份额而发起的价格战愈演愈烈，小制造商也加入竞争，导致市场不稳定。这种竞争环境增强了全球买家的谈判地位，博世和英飞凌等主要国际IDM获得了越来越优惠的价格协议。

与全球市场相比，中国碳化硅衬底价格的下跌更为显著。国际供应商针对主流产品6英寸碳化硅衬底的报价仍维持在750~800美元之间，而中国制造商的价格与国际市场的价格差异已扩大至30%左右。这种价格差异不仅反映了中国市场的激烈竞争，也凸显了中国制造商在成本控制和产能扩张方面的优势。

山东天岳、天科蓝科、三安等一些中国一线供应商已经进入了国际IDM厂商的功率器件供应链。

然而，IDM仍然对新供应商关系有所挑剔。欧洲、美国和日本制造商继续优先考虑供应链的稳定性和安全性。

业内人士预计，原本应在2026年左右到来的SiC衬底行业整合潮，可能会因价格战的激化而提前至2025年中期。