今天，沃尔德半导体推出一款在低功耗和高能效方面表现出色的器件—TSP10L300D-S肖特基二极管。

产品特性：

· Trench工艺：通过沟槽的横向电场加成，实现更低的VF；

· 具有低正向压降：VF<0.61V@1A,125℃；

· 高效率：低正向压降使电源产品效率更高；

· 低漏电：IR＜20uA，125℃，提高了产品的可靠性；

· 贴片封装：贴片封装为PCB板设计能节省空间。

产品参数对比：

静态数据：

动态测试：

测试条件：输入220VAC/50Hz，输出48V/1.5A，环境温度25℃。

SBR工艺产品与TSP10L300D-S的上机温度对比

SBR工艺产品与TSP10L300D-S的上机效率对比

在实际应用中，沃尔德半导体的 Trench 工艺产品 TSP10L300D - S具有显著优势。较低的温度能提高稳定性，更高的效率则可提升整体性能，减少能源损耗。

应用领域：