近日工信部印发了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，其中包括氟化氩光刻机，其光源为193纳米，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，是我国光刻机技术领域里程碑式的重大突破，国产高端光刻机官宣成熟芯片实现全流程国产化。

工业和信息化部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》的通知。目录中的“集成电路生产装备”板块列出了氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。其中，氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度，能够支持28纳米工艺芯片的量产。这不仅是中国在半导体设备领域的一次重大飞跃，也表明了中国在未来几年内有可能达到国际先进水平的决心。光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术水平直接影响到了芯片的性能与成本。长期以来，高端光刻机市场被少数几家外国公司垄断。然而，随着中国在28纳米制程技术上的突破，这一切开始发生变化。这一技术不仅意味着中国能够在芯片生产上实现更多自主权，同时也为其在多个工业领域提供了坚实的基础。

9月10日上海微电子公开了名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利。

9月6日荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)在官网发布声明称，荷兰政府公布了浸润式，DUV光刻机出口新规，称次先进DUV出口需获得荷兰政府许可，自9月7日起生效。

此次官宣的国产氟化氩光刻机，单次曝光可以制造65nm左右制程芯片，如果使用浸润式、OPC光学补偿、多重曝光等技术辅助，理论上可以推进到28nm制程工艺。按照套刻精度与量产工艺节点之间1:3的关系，光刻机套刻精度达到8纳米，理论上或可量产28nm工艺的芯片。28nm芯片是中低端和中高端的分界线，这意味着国产独立自主的芯片制造技术已基本可以满足绝大多数工业应用的需要。目前国产光刻机整机与零组件企业已经逐步形成一定规模，在自主可控势在必行的长期形势下，国产光刻机企业有望迎来较大市场机遇。